| SI7460DP-T1-E3 | |
|---|---|
| Modèle de produit | SI7460DP-T1-E3 |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| La description | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
| Quantité disponible | 7442 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.SI7460DP-T1-E3.pdf2.SI7460DP-T1-E3.pdf |
| Télécharger | SI7460DP-T1-E3 Détails PDF |
| SI7460DP-T1-E3 Price |
Demande de prix et délai de livraison en ligne or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informations techniques de SI7460DP-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SI7460DP-T1-E3 | Catégorie | |
| Fabricant | Vishay / Siliconix | La description | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
| Paquet / cas | PowerPAK® SO-8 | Quantité disponible | 7442 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
| Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 18A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.9W (Ta) | Package / Boîte | PowerPAK® SO-8 |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 60 V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta) | Numéro de produit de base | SI7460 |
| SI7460DP-T1-E3 Détails PDF [English] | SI7460DP-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
| Télécharger | SI7460DP-T1-E3 Détails PDF | ||
Modèle de Produit
SI7460DP-T1-E3
Introduction
MOSFET à canal N Vishay Siliconix PowerPAK SO-8
Marque et Fabricant
Vishay / Siliconix
Caractéristiques
Technologie TrenchFET à canal N, haute efficacité grâce à une faible résistance de conduction en mode on, densité de puissance améliorée
Performance du Produit
Opère dans une plage de températures de -55°C à 150°C, capacité de courant de drain continu de 11A à 25°C, dissipation de puissance de 1,9W à température ambiante
Spécifications Techniques
Tension drain-source (Vdss) de 60V, tension seuil de la grille-source (Vgs(th)) maximale de 3V à 250µA, résistance de conduction drain-source en mode on statique (Rds On) de 9,6 mOhm à 18A, 10V
Dimensions, Forme et Conditionnement
Paquet PowerPAK SO-8, fourni en bobine et rouleau (TR) pour l'assemblage automatisé
Qualité et Fiabilité
Sans plomb et conforme à la directive RoHS, conçu pour une performance et une fiabilité élevées
Avantages du Produit
Faible résistance thermique, adapté aux applications à haute densité de puissance
Compétitivité du Produit
Concurrentiel dans les applications de gestion de puissance à haute efficacité
Compatibilité
Compatible avec le processus d'assemblage automatisé, compatible avec la technologie de montage en surface
Certification et Conformité aux Normes
Sans plomb et conforme à la directive RoHS, assure le respect des normes environnementales et sanitaires
Durée de Vie et Durabilité
Robuste avec une longue durée de vie opérationnelle dans les conditions spécifiées
Champs d'Application Réels
Alimentation, gestion de puissance, convertisseurs DC-DC, applications de commutation
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ SI7460DP-T1-E3 Online.
| Action SI7460DP-T1-E3 | Prix SI7460DP-T1-E3 | SI7460DP-T1-E3 Electronique | |||
| Composants SI7460DP-T1-E3 | SI7460DP-T1-E3 Inventaire | SI7460DP-T1-E3 Digikey | |||
| Fournisseur SI7460DP-T1-E3 | Commandez SI7460DP-T1-E3 en ligne | Demande SI7460DP-T1-E3 | |||
| SI7460DP-T1-E3 Image | SI7460DP-T1-E3 Photo | SI7460DP-T1-E3 PDF | |||
| SI7460DP-T1-E3 Fiche technique | Télécharger la fiche technique SI7460DP-T1-E3 | Fabricant Vishay / Siliconix | |||
| Pièces connexes SI7460DP-T1-E3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Image | Modèle de produit | La description | Fabricant | Obtenir un devis | |
 |
SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SI7461DP-T1-E3 MOS | VISHAT QFN-8 | VISHAT | ||
 |
SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
 |
SI7459DP-T1-E3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7460DP | SI7460DP SI | SI | ||
|
SI7460DP-T1-E3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
|
SI7458DP-T1-GE3 | SI7458DP-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7460DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7461DP | SI7461DP VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7461DP-T1-GE3 IC | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
|
SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7458DP-T1-E3 | SI7458DP-T1-E3 VISHAT | VISHAT | ||
|
SI7459DP | SI7459DP VISHAY | VISHAY | ||
Message
Plus
Le Polarfire® SOC FPGA de Microchip a reçu la certification AEC-Q100, confirmant sa fiabilité dans des conditions automobiles sévères, y compris ...
Le PSOCTM 4000T est le premier produit d'Infineon à présenter la technologie CapSense ™ de cinquième génération de la société et les fonctionn...
Un responsable du fournisseur de pièces automobiles a révélé que le développement de véhicules électriques sur le marché nord-américain a cal...
Infineon et Eatron élargissent leur collaboration Système de gestion des batteries AI (BMS) dans l'électronique industrielle et grand public.Sur la...
Sur le semi-conducteur a récemment annoncé le lancement de son premier capteur de temps de vol indirect en temps réel (ITOF), la série d'identific...
Nouveaux produits
Plus
Capteur photoélectrique série PD30 Les capteurs photoélectriques miniatures de Carlo Gavazzi sont...
Kit d'évaluation XC112 / XR112 pour le radar cohérent à impulsions A111Kit d'évaluation XC112 et XR112 d'Acconeer avec câbles plats flexibles et ...
Servomoteurs et moteurs MINAS série A6 La famille MINAS A6 de Panasonic assure un fonctionnement st...
Carte de pilote à LED UV Carte pilote UV RayVio pour les séries XE et XP1 d'émetteurs UV-C La c...
Test SDRAM DDR industriel et étendu Les dispositifs SDRAM DDR d'Insignis garantissent un fonctionne...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966AJOUTER: 2703-27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Avis de droit d'auteur © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Tous les droits sont réservés.