| SI7540DP-T1-E3 | |
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| Modèle de produit | SI7540DP-T1-E3 |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| La description | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
| Quantité disponible | 2835 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.SI7540DP-T1-E3.pdf2.SI7540DP-T1-E3.pdf |
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| Informations techniques de SI7540DP-T1-E3 | |||
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| Référence fabricant | SI7540DP-T1-E3 | Catégorie | |
| Fabricant | Vishay / Siliconix | La description | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
| Paquet / cas | PowerPAK® SO-8 Dual | Quantité disponible | 2835 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual | Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V | Puissance - Max | 1.4W |
| Package / Boîte | PowerPAK® SO-8 Dual | Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 12V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7.6A, 5.7A | Configuration | N and P-Channel |
| Numéro de produit de base | SI7540 | SI7540DP-T1-E3 Détails PDF [English] | SI7540DP-T1-E3 PDF - EN.pdf |
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Modèle de Produit
SI7540DP-T1-E3
Introduction
Array de MOSFET N et P-Channel
Marque et Fabricant
Vishay / Siliconix
Caractéristiques
Niveau logique de grille, gestion de puissance améliorée, configuration double N et P-Channel, faible résistance à l'état passant
Performance du Produit
Courants de fuite continus élevés de 7,6 A (N-Channel), 5,7 A (P-Channel), opération entre -55°C et 150°C, faible charge de grille
Spécifications Techniques
Type de FET : N et P-Channel, tension drain-source (Vdss) : 12V, Rds On (Max) : 17 mOhm, charge de grille (Qg) : 17nC, Vgs(th) (Max) : 1,5V
Dimensions, Forme et Conditionnement
Boîtier PowerPAK SO-8 monté en surface, bande et bobine (TR) pour assemblage automatisé
Qualité et Fiabilité
Fabriqué par Vishay, un leader dans la technologie des semi-conducteurs
Avantages du Produit
Efficacité élevée avec des pertes de conduction réduites, plus facile à piloter avec un seuil de grille de niveau logique
Compétitivité du Produit
Performances compétitives en matière de Rds(on) et de charge de grille, adapté aux applications de gestion de puissance à haute densité
Compatibilité
Compatible avec la technologie de montage en surface, applicable aux circuits de conduite de grille de niveau logique
Certification et Conformité aux Normes
Conforme aux normes de l'industrie pour les composants électroniques
Durée de Vie et Durabilité
Résistant avec des températures de fonctionnement allant de -55°C à 150°C
Champs d'Application Réels
Gestion de l'énergie, télécommunications, informatique, systèmes de gestion de batteries, commutation de charge
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