SI7858BDP-T1-GE3 | |
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Modèle de produit | SI7858BDP-T1-GE3 |
Fabricant | Vishay Siliconix |
La description | MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 |
Quantité disponible | 1500 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | 1.SI7858BDP-T1-GE3.pdf2.SI7858BDP-T1-GE3.pdf3.SI7858BDP-T1-GE3.pdf4.SI7858BDP-T1-GE3.pdf |
SI7858BDP-T1-GE3 Price |
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Informations techniques de SI7858BDP-T1-GE3 | |||
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Référence fabricant | SI7858BDP-T1-GE3 | Catégorie | |
Fabricant | Vishay / Siliconix | La description | MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 |
Paquet / cas | PowerPAK® SO-8 | Quantité disponible | 1500 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 15A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max) | 5W (Ta), 48W (Tc) | Package / Boîte | PowerPAK® SO-8 |
Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5760 pF @ 6 V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 4.5 V | type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss) | 12 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 40A (Tc) |
Numéro de produit de base | SI7858 | ||
Télécharger | SI7858BDP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SI7858BDP-T1-GE3
Ce produit est un transistor à semi-conducteurs discrets, plus précisément un MOSFET N-Channel de la série TrenchFET.
Le fabricant est Vishay/Siliconix.
Les principales caractéristiques de ce modèle incluent sa configuration N-Channel, son type de montage en surface, et sa technologie MOSFET (Transistor à effet de champ à oxyde métallique). Il présente également une dissipation de puissance maximale de 5W (Ta), 48W (Tc).
Ce produit possède une tension de Drain à Source (Vdss) de 12V et un courant - drain continu (Id) @ 25 C de 40A (Tc). Il promet également un Rds On (Max) @ Id, Vgs de 2,5 mOhm@15A, 4,5V et une charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs de 84nC@ 4,5V.
Parmi les spécifications techniques de ce modèle, on trouve une plage de température de fonctionnement de -55 C à 150 C, une capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds de 5760pF@ 6V, et une plage de tension de fonctionnement pour Vgs (Max) de -8V.
Le boîtier de ce produit est un PowerPAK SO-8, et il est fourni dans ce format. Ce produit est livré dans un emballage type bande et bobine.
Provenant du fabricant établi Vishay/Siliconix, il offre une performance fiable et de haute qualité.
Avec une large plage de température de fonctionnement et une dissipation de puissance robuste, ce transistor est efficace et performant.
Le produit se distingue par sa haute capacité de courant et sa faible résistance, ce qui en fait une option compétitive.
En tant que composant à montage en surface, il est compatible avec divers conceptions de circuits, assurant une flexibilité d’applications.
En tant que produit de Vishay/Siliconix, il est censé respecter toutes les certifications standard de l'industrie.
Le produit est conçu pour une performance durable avec une durée de vie adaptée à des applications industrielles ou commerciales soutenues.
Ce type de produit est généralement utilisé dans l'électronique générale, les unités d'alimentation, les équipements audio et diverses applications industrielles.
Action SI7858BDP-T1-GE3 | Prix SI7858BDP-T1-GE3 | SI7858BDP-T1-GE3 Electronique | |||
Composants SI7858BDP-T1-GE3 | SI7858BDP-T1-GE3 Inventaire | SI7858BDP-T1-GE3 Digikey | |||
Fournisseur SI7858BDP-T1-GE3 | Commandez SI7858BDP-T1-GE3 en ligne | Demande SI7858BDP-T1-GE3 | |||
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Pièces connexes SI7858BDP-T1-GE3 | |||||
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Image | Modèle de produit | La description | Fabricant | Obtenir un devis | |
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