SIR470DP-T1-GE3
Modèle de produit SIR470DP-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
La description MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
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Référence fabricant SIR470DP-T1-GE3 Catégorie  
Fabricant Vishay / Siliconix La description MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Paquet / cas PowerPAK® SO-8 Quantité disponible 31246 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8
Séries TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Package / Boîte PowerPAK® SO-8
Emballer Tape & Reel (TR) Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5660 pF @ 20 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)
Numéro de produit de base SIR470 SIR470DP-T1-GE3 Détails PDF [English] SIR470DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf
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Modèle de Produit

SIR470DP-T1-GE3

Introduction

MOSFET Power TrenchFET N-Channel haute performance

Marque et Fabricant

Vishay / Siliconix

Caractéristiques

Technologie MOSFET (oxyde métallique) type N-Channel, emballage en bande et bobine (TR) pour assemblage automatique, compatible avec la technologie de montage en surface (SMT), conforme RoHS pour la sécurité environnementale, sans plomb pour réduire la toxicité

Performance du Produit

Tension Drain à Source (Vdss) supporte 40V, Courant Drain Continu (Id) de 60A à 25°C (Tc), résistance à l'état passant Rds On de 2,3 mOhm à 20A, 10V, charge de grille (Qg) de 155nC à 10V, capacité d'entrée (Ciss) de 5660pF à 20V, capable de résister à des températures élevées jusqu'à 150°C (TJ)

Spécifications Techniques

Dissipation de puissance 6,25W (Ta), 104W (Tc), Tension de seuil de grille (Vgs(th)) de 2,5V à 250A, Tension de pilotage 4,5V (Rds On max), 10V (Rds On min), Tension grille-source (Vgs max) ±20V

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier PowerPAK SO-8, emballé en T&TR pour des processus d'assemblage efficaces

Qualité et Fiabilité

Construit par Vishay / Siliconix de renom, construction robuste pour des performances durables

Avantages du Produit

Grande capacité de courant drain, efficacité énergétique améliorée avec faible Rds On, adapté aux applications d'énergie haute densité

Compétitivité du Produit

Compétitif dans le domaine des semiconducteurs discrets haute performance, offre un équilibre entre prix et performance

Compatibilité

Compatible avec les processus de fabrication SMT standards, s'adapte aux empreintes et techniques d'assemblage PowerPAK SO-8

Certification et Conformité aux Normes

Conforme RoHS pour la sécurité environnementale et des consommateurs

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de vie opérationnelle dans des conditions spécifiées

Champs d'Application Réels

Gestion de l'énergie pour équipements informatiques et réseaux, convertisseurs DC/DC, entraînements de moteurs, systèmes alimentés par batterie, applications de commutation nécessitant un contrôle énergétique efficace

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