SIR470DP-T1-GE3 | |
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Modèle de produit | SIR470DP-T1-GE3 |
Fabricant | Vishay Siliconix |
La description | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
Quantité disponible | 31246 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | 1.SIR470DP-T1-GE3.pdf2.SIR470DP-T1-GE3.pdf3.SIR470DP-T1-GE3.pdf4.SIR470DP-T1-GE3.pdf |
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Informations techniques de SIR470DP-T1-GE3 | |||
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Référence fabricant | SIR470DP-T1-GE3 | Catégorie | |
Fabricant | Vishay / Siliconix | La description | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
Paquet / cas | PowerPAK® SO-8 | Quantité disponible | 31246 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | Package / Boîte | PowerPAK® SO-8 |
Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5660 pF @ 20 V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 40 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
Numéro de produit de base | SIR470 | SIR470DP-T1-GE3 Détails PDF [English] | SIR470DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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SIR470DP-T1-GE3
MOSFET Power TrenchFET N-Channel haute performance
Vishay / Siliconix
Technologie MOSFET (oxyde métallique) type N-Channel, emballage en bande et bobine (TR) pour assemblage automatique, compatible avec la technologie de montage en surface (SMT), conforme RoHS pour la sécurité environnementale, sans plomb pour réduire la toxicité
Tension Drain à Source (Vdss) supporte 40V, Courant Drain Continu (Id) de 60A à 25°C (Tc), résistance à l'état passant Rds On de 2,3 mOhm à 20A, 10V, charge de grille (Qg) de 155nC à 10V, capacité d'entrée (Ciss) de 5660pF à 20V, capable de résister à des températures élevées jusqu'à 150°C (TJ)
Dissipation de puissance 6,25W (Ta), 104W (Tc), Tension de seuil de grille (Vgs(th)) de 2,5V à 250A, Tension de pilotage 4,5V (Rds On max), 10V (Rds On min), Tension grille-source (Vgs max) ±20V
Boîtier PowerPAK SO-8, emballé en T&TR pour des processus d'assemblage efficaces
Construit par Vishay / Siliconix de renom, construction robuste pour des performances durables
Grande capacité de courant drain, efficacité énergétique améliorée avec faible Rds On, adapté aux applications d'énergie haute densité
Compétitif dans le domaine des semiconducteurs discrets haute performance, offre un équilibre entre prix et performance
Compatible avec les processus de fabrication SMT standards, s'adapte aux empreintes et techniques d'assemblage PowerPAK SO-8
Conforme RoHS pour la sécurité environnementale et des consommateurs
Conçu pour une longue durée de vie opérationnelle dans des conditions spécifiées
Gestion de l'énergie pour équipements informatiques et réseaux, convertisseurs DC/DC, entraînements de moteurs, systèmes alimentés par batterie, applications de commutation nécessitant un contrôle énergétique efficace
Action SIR470DP-T1-GE3 | Prix SIR470DP-T1-GE3 | SIR470DP-T1-GE3 Electronique | |||
Composants SIR470DP-T1-GE3 | SIR470DP-T1-GE3 Inventaire | SIR470DP-T1-GE3 Digikey | |||
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