| SUD08P06-155L-GE3 | |
|---|---|
| Modèle de produit | SUD08P06-155L-GE3 |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| La description | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 |
| Quantité disponible | 50287 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | SUD08P06-155L-GE3.pdf |
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| SUD08P06-155L-GE3 Price |
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| Informations techniques de SUD08P06-155L-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SUD08P06-155L-GE3 | Catégorie | |
| Fabricant | Vishay / Siliconix | La description | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 |
| Paquet / cas | TO-252 | Quantité disponible | 50287 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-252 |
| Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8.4A (Tc) |
| Numéro de produit de base | SUD08 | SUD08P06-155L-GE3 Détails PDF [English] | SUD08P06-155L-GE3 PDF - EN.pdf |
| Télécharger | SUD08P06-155L-GE3 Détails PDF | ||
Modèle de Produit
SUD08P06-155L-GE3
Introduction
MOSFET de puissance P-Channel 60V TrenchFET
Marque et Fabricant
Vishay / Siliconix
Caractéristiques
MOSFET P-Channel, Technologie TrenchFET, Montage en surface TO-252, Sans plomb / Conforme RoHS, Faible résistance à l'état passant, Grande vitesse de commutation
Performance du Produit
Plage de température de fonctionnement de -55°C à 150°C, Courant - Drain continu de 8,4 A à 25°C, Dissipation de puissance de 1,7 W à l'ambiante, 20,8 W à la température du boîtier
Spécifications Techniques
Tension de Drain à Source de 60V, Rds On de 155 mOhm à 5A, 10V, Tension de seuil de 3V à 250µA, Charge de porte de 19nC à 10V, Capacité d'entrée de 450pF à 25V
Dimensions, Forme et Conditionnement
TO-252-3, DPak (2 broches + languette), emballage SC-63. Emballage du fabricant : bande et bobine
Qualité et Fiabilité
Haute qualité et fiabilité selon les normes de l'industrie
Avantages du Produit
Dispositif économe en énergie, Optimisé pour une faible charge de porte
Compétitivité du Produit
Tension de claquage Drain-Source compétitive, Compétitivité renforcée sur le marché des MOSFET P-Channel
Compatibilité
Compatible avec les techniques standards de montage en surface
Certification et Conformité aux Normes
Conforme RoHS
Durée de Vie et Durabilité
Conception durable et durable pour une utilisation à long terme
Champs d'Application Réels
Gestion de l'énergie dans les systèmes informatiques et de télécommunications, Applications de commutation et d'amplification
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ SUD08P06-155L-GE3 Online.
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