Exploration du module IGBT SKM100GB12T4G pour les applications industrielles
2025-03-31 179

Le SKM100GB12T4G est un module IGBT puissant et fiable fabriqué par Semikron Danfoss.Il est construit avec une technologie de pointe pour changer de puissance efficacement et réduire la perte d'énergie.Ce module fonctionne bien dans les entraînements moteurs, les systèmes UPS et les machines de soudage.Dans cet article, vous découvrirez ses fonctionnalités, comment elle fonctionne, où elle est utilisée et pourquoi c'est un choix intelligent pour de nombreuses applications industrielles.

Catalogue

 SKM100GB12T4G

Présentation SKM100GB12T4G

Le Skm100gb12t4g est un module IGBT haute performance de Semikron, conçu avec une technologie IGBT de tranchée de quatrième génération et une diode CAL4 à commutation douce pour assurer une commutation électrique efficace et une EMI réduite.Classé pour 1200 V et jusqu'à 154 A, il dispose d'un coefficient de température positif de VCesat pour un fonctionnement parallèle plus facile et une stabilité thermique supérieure.Sa protection à court-circuit robuste limite le courant à six fois le nominal, ce qui le rend très fiable dans des environnements sujets aux pannes.Idéal pour les entraînements de l'onduleur AC, les systèmes UPS et les soudeurs électroniques fonctionnant à des fréquences allant jusqu'à 20 kHz, ce module combine l'efficacité, la durabilité et les performances.Conception à fonctionner à des températures allant de -40 ° C à 175 ° C, elle se démarque dans des applications industrielles exigeantes.Avec son comportement de commutation optimisé et sa construction robuste, le SKM100GB12T4G est un choix solide pour ceux qui recherchent une fiabilité à long terme.

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Fabricant SKM100GB12T4G

Le SKM100GB12T4G est fabriqué par Semikron Danfoss, un principal fournisseur mondial de composants électroniques d'alimentation.Semikron, fondée en 1951, a fusionné avec Danfoss en 2022 pour former Semikron Danfoss, combinant leur expertise pour faire progresser la technologie du semi-conducteur.La société est spécialisée dans le développement et la production de composants et de systèmes de semi-conducteurs pour la conversion de puissance, offrant une large gamme de produits, notamment des modules IGBT, des redresseurs et des assemblages d'alimentation.Leurs solutions sont largement utilisées dans des applications telles que les disques industriels, les systèmes d'énergie renouvelable et les véhicules électriques.Semikron Danfoss est reconnu pour son innovation et son engagement envers la qualité, fournissant des produits fiables et efficaces pour répondre aux demandes évolutives de l'industrie de l'électronique électrique.

Schéma de circuit SKM100GB12T4G

SKM100GB12T4G Circuit Diagram

Ce diagramme de circuit pour le module SKM100GB12T4G montre une configuration à demi-pont IGBT double avec deux transistors bipolaires à portes isolées (IGBT), chacun intégré à un diode en roue libre. Terminal 1 est le Bus DC positif, servant de connexion collector commune pour les deux IGBT. Terminaux 2 et 3 sont les sorties d'émetteur de chaque IGBT, formant les deux jambes de sortie du demi-pont.Les IGBT sont conduits à travers des paires de gorte-émetteur: 4/5 pour gauche igbt et 6/7 pour à droite.Chaque IGBT est protégée par une diode antiparallèle, qui permet le flux de courant lors des événements de commutation lorsque l'IGBT est désactivé, améliorant les performances des applications de charge inductive.

Cette configuration est couramment utilisée dans les circuits de l'onduleur, les lecteurs de moteur et les convertisseurs d'alimentation.Il permet une commutation efficace et une manipulation du courant, permettant un contrôle sur la livraison de puissance dans les deux sens tout en minimisant les pertes.

Fonctionnalités SKM100GB12T4G

Technologie avancée IGBT4: Intègre l'IGBT de la tranchée de quatrième génération de Semikron, offrant une efficacité et des performances améliorées.

Diode Cal4 commutation douce: Équipé d'une diode CAL à commutation douce de quatrième génération, réduisant les pertes de commutation et l'interférence électromagnétique (EMI).

Plaque de base en cuivre isolé: Utilise la technologie directe de cuivre collé (DBC) pour une meilleure gestion thermique et l'isolement électrique.

Résistance de porte intégrée: Dispose d'une résistance de porte interne pour optimiser le comportement de commutation et simplifier la conception du circuit.

Capacité de cyclisme à haute puissance: Conçu pour une durabilité accrue dans les cycles de charge répétitive, assurant une fiabilité à long terme.

Reconnaissance UL: Certifié dans le numéro de fichier UL E63532, affirmant la conformité aux normes de sécurité strictes.

Applications SKM100GB12T4G

Drives de l'onduleur AC: Facilite un contrôle précis de la vitesse et du couple du moteur AC, améliorant l'efficacité des entraînements du moteur industriel.

Alimentations d'alimentation sans interruption (UPS): Assure la livraison de puissance continue lors des interruptions de puissance principales, sauvegarde les systèmes critiques des temps d'arrêt.

Soudeurs électroniques: Optimisé pour les applications de soudage fonctionnant aux fréquences de commutation jusqu'à 20 kHz, offrant des performances stables et efficaces.

SKM100GB12T4G Dessin de contour

SKM100GB12T4G Outline Drawing

Ce dessin de contour du module IGBT SKM100GB12T4G fournit des dimensions mécaniques détaillées critiques pour l'installation et l'intégration dans les systèmes électroniques de puissance.Le module a un longueur globale de 106,4 mm, un largeur de 61,4 mmet un hauteur d'environ 30,5 mm, ce qui en fait un package compact adapté aux applications de haute puissance.La disposition du terminal est clairement marquée, avec Terminaux 1, 2 et 3 Positionné pour un accès facile, espacé de 22,5 mm à part, et conçu pour Vis M6 pour assurer des connexions électriques sécurisées.

Les trous de montage sont situés à chaque coin, avec des dimensions qui facilitent la fixation ferme à un dissipateur de chaleur ou un châssis, assurant un bon contact thermique.La disposition inférieure comprend des connexions de porte et d'émetteur étiquetées et espacées pour une interface PCB ou fil précise.

Avantages SKM100GB12T4G

Grande efficacité: Grâce à sa technologie avancée IGBT4 Trench et à la diode à commutation douce CAL4, il offre une réduction des pertes de commutation et de conduction.

Amélioration de la gestion thermique: La plaque de base DBC isolée offre une excellente dissipation de chaleur, prenant en charge un fonctionnement stable même sous des charges élevées.

Fiabilité accrue: Sa capacité de court-circuit robuste et ses performances de cyclisme haute puissance garantissent une durabilité à long terme dans des conditions exigeantes.

Intégration de conception simplifiée: Des caractéristiques comme la résistance de la porte intégrée et le coefficient de température positif de VCesat Permettez un fonctionnement parallèle et une optimisation de circuit plus facile.

Compact et polyvalent: Le logement compact Semitop 3 économise de l'espace de la carte tout en étant adapté à une variété d'applications, y compris les onduleurs, les systèmes UPS et les soudeurs.

Sécurité certifiée: UL-reconnu, garantissant le respect des normes de sécurité mondiales.

Alternatives SKM100GB12T4G



SKM100GB12T4G Ratings maximaux absolus

Paramètre Nom
Valeur et Unité
Tension collector-émetteur (VCES)
1200 V
Courant de collecteur continu à tC = 25 ° C (IC)
154 A
Courant de collecteur continu à tC = 80 ° C (IC)
118 A
Courant de collecteur nominal (iCnom)
100 A
Courant de collecteur de pointe répétitif (iCRM)
300 A
Tension à la porte-émetteur (VGesme)
± 20 V
Court-circuit résiste au temps (tPSC)
10 µs
Plage de température de la jonction IGBT (tJ)
-40 à 175 ° C
Courant avant continu à tJ = 175 ° C (IF)
118 A
Courant avant continu à tJ = 25 ° C (IF)
89 A
Courant avant nominal (iFnom)
100 A
Courant avant de pic répétitif (iFRM)
300 A
Se mettre à l'avant (iFSM), (tp = 10 ms, péché 180 °)
486 A
Plage de température de la jonction de diode (tJ)
-40 à 175 ° C
Tension d'isolement RMS (tTerminal = 80 ° C) (iT (RMS))
500 V
Plage de températures de stockage (tstg)
-40 à 125 ° C
Tension d'isolement (AC Sinus 50Hz, 1 min) (Visolage)
4000 V

Caractéristiques SKM100GB12T4G

SKM100GB12T4G Characteristics

SKM100GB12T4G Problèmes et solutions courantes

Surchauffe pendant le fonctionnement: Assurez-vous des matériaux de chaleur et d'interface thermique appropriés pour éviter que la température augmente du refroidissement inadéquat.

Échec du lecteur de porte: Évitez la tension de grille dépassant ± 20 V et utilisez des résistances de porte recommandées pour protéger les circuits d'entraînement de la porte.

Court-circuit ou surintensité : Incorporez les circuits de protection du courant rapide et limitez la fréquence de commutation pour éviter la contrainte de dispositif.

Répartition des collectionneurs-émissaire: Utilisez des circuits de snobber et maintenez la tension dans le 1200 V nominal pour éviter la rupture pendant la commutation.

Oscillations parasites: Optimiser la disposition des PCB avec des chemins courts et inducteurs à faible inductance pour éliminer les oscillations de boucle de porte.

Comparaison: SKM100GB12T4G VS SKM100GB12T4

Le Skm100gb12t4g et SKM100GB12T4 Sont tous deux des modules IGBT haute performance de Semikron Danfoss, conçus avec une technologie IGBT4 Trench et une cote de tension de 1200 V.Chacun prend en charge un courant de collecteur de 154 A à 25 ° C et 118 A à 80 ° C, et les deux conviennent à Commutation de fréquences jusqu'à 20 kHz.Ils partagent le même type de package Semitop 3 et utilisent des plaques de base en cuivre à liaison directe directe (DBC) pour une gestion thermique efficace.Cependant, le SKM100GB12T4G dispose d'une résistance de porte interne, simplifiant la conception du lecteur de porte et améliorant les performances de commutation.Il comprend également une amélioration Diode Cal4, qui est optimisé pour une réduction des pertes de commutation EMI et une baisse.En revanche, le SKM100GB12T4 n'a pas de résistance de porte interne, nécessitant un réglage externe et utilise un Diode Cal standard, ce qui le rend légèrement moins optimisé dans le contrôle EMI.Les deux modules sont certifiés UL, mais la variante T4G (UL E63532) offre une meilleure intégration pour les concepteurs.

Conseils d'entretien SKM100GB12T4G

Inspection visuelle régulière

Vérifiez les signes de dommages physiques, de décoloration ou de résidus sur le module, les terminaux et les PCB environnants.Remplacer si des fissures ou des brûlures sont détectés.

Terminaux de connexion propre

Nettoyez périodiquement les bornes du collecteur, de l'émetteur et des portes en utilisant des solvants non abrasifs et en matière d'électronique pour assurer une faible résistance de contact et des performances stables.

Moniteur d'interface thermique

Assurez-vous que la pâte thermique ou le coussin entre le module et le dissipateur thermique reste efficace.Réappliquez ou remplacez s'il montre des signes de séchage ou de dégradation.

Vérifiez le montage lâche

Vérifiez que le module est monté en toute sécurité sur le dissipateur thermique.Le montage lâche peut entraîner un mauvais contact thermique et une surchauffe.

Test des circuits d'entraînement de la porte

Inspectez et testez systématiquement la tension et les signaux de conduite de porte.Le lecteur de porte incohérent peut entraîner des défauts de commutation ou une augmentation des pertes.

Protection de l'environnement

Protégez le module contre la poussière excessive, l'humidité et les gaz corrosifs en utilisant des revêtements conformes ou en le plaçant dans une enceinte contrôlée.

Conclusion

Le SKM100GB12T4G est un module IGBT solide et haute performance qui offre un fonctionnement sûr, efficace et fiable.Il est facile à utiliser, a un excellent contrôle thermique et fonctionne bien dans de nombreux systèmes d'alimentation.Par rapport à des modèles similaires, il offre une meilleure conception et moins d'EMI.Si vous recherchez un module de puissance de confiance, celui-ci est une excellente option.Achetez en vrac dès aujourd'hui pour obtenir la meilleure valeur et la meilleure fourniture.

Fiche technique PDF

SKM100GB12T4G

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Questions fréquemment posées [FAQ]

1. À quoi sert le module IGBT SKM100GB12T4G utilisé?

Le SKM100GB12T4G est utilisé dans les disques de l'onduleur AC, les alimentations sans interruption (UPS) et les soudeurs électroniques pour un contrôle efficace de l'alimentation.

2. Qui fabrique le SKM100GB12T4G?

Il est fabriqué par Semikron Danfoss, un leader mondial des composants de l'électronique de puissance.

3. Quelle est la tension et la note de courant du SKM100GB12T4G?

Il a une tension de 1200 V et prend en charge jusqu'à 154 A à 25 ° C.

4. Qu'est-ce qui rend ce module efficace pour la commutation?

Il dispose d'une technologie IGBT4 TRANCH et d'une diode à commutation douce CAL4, qui réduisent les pertes de puissance et les interférences électromagnétiques.

5. Le SKM100GB12T4G comprend-il une résistance de porte?

Oui, il est livré avec une résistance de porte intégrée, ce qui aide à simplifier la conception et à améliorer les performances de commutation.

6. Comment les performances thermiques sont-elles gérées dans ce module?

Le module utilise une plaque de base DBC (cuivre à liaison directe directe) pour une excellente dissipation de chaleur et un fonctionnement stable.

7. Quelles sont les dimensions physiques du SKM100GB12T4G?

Il mesure 106,4 mm x 61,4 mm x 30,5 mm, le rendant compact et adapté aux espaces restreints.

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