CY62256LL-55SNI
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Référence fabricant CY62256LL-55SNI Catégorie Circuits intégrés (ci)
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Modèle de Produit

CY62256LL-55SNI

Introduction

Circuit intégré SRAM haute performance

Marque et Fabricant

Infineon Technologies

Caractéristiques

SRAM asynchrone, accès aux données haute vitesse

Performance du Produit

Temps de cycle d'écriture - Mot, Page : 55ns, Température de fonctionnement : -40°C à 85°C

Spécifications Techniques

Type de mémoire : Volatile, Taille de mémoire : 256Kbit, Organisation de mémoire : 32K x 8, Interface de mémoire : Parallèle

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier : 28-SOIC, Dimensions : Largeur 7,50 mm, Emballage : Tube

Qualité et Fiabilité

Conçu pour la technologie de montage en surface

Avantages du Produit

Plage de température robuste pour des environnements variés, Boîtier SOIC compact

Compétitivité du Produit

Optimal pour des applications haute vitesse

Compatibilité

Compatible avec une tension d'alimentation de 5V

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux spécifications industrielles standard pour SRAM

Durée de Vie et Durabilité

Fiabilité à long terme dans des conditions spécifiées

Champs d'Application Réels

Utilisé dans les télécommunications, l'informatique et les applications industrielles

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