Modèle de Produit

CY7C1313TV18

Introduction

Circuit intégré SRAM CMOS haute vitesse

Marque et Fabricant

Cypress Semiconductor (CY)

Caractéristiques

Fonctionnement à haute vitesse, temps d'accès à faible latence, interfaces à double taux de données (DDR), prend en charge les opérations synchrones, logique ECC (Code de Correction d'Erreur) intégrée

Performance du Produit

Vitesses d'horloge rapides, fonctionnement stable sur une large plage de températures, faible consommation d'énergie, haut débit de données

Spécifications Techniques

Densité de 72 Mbit, alimentation 1,8 V, boîtier FBGA à 165 billes, largeur de bande de 3,2 Gbps par broche

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier Ball Grid Array (BGA), technologie de montage en surface, facteur de forme compact

Qualité et Fiabilité

Support d'une large plage de température, détection et correction d'erreur robustes, temps moyen entre pannes (MTBF) élevé

Avantages du Produit

Large bande passante adaptée aux applications de mise en réseau, ECC robuste pour l'intégrité des données, conception à faible consommation pour l'efficacité énergétique

Compétitivité du Produit

Temps d'accès compétitifs par rapport aux SRAM concurrentes, qualité supérieure et ensemble de fonctionnalités dans sa catégorie

Compatibilité

Compatible avec une large gamme de processeurs haute vitesse et de FPGA

Certification et Conformité aux Normes

Conforme à la directive RoHS, répond aux normes JEDEC

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de vie opérationnelle, respecte les normes industrielles en matière de durabilité environnementale

Champs d'Application Réels

Équipements de mise en réseau, informatique haute performance, infrastructures de télécommunications, applications industrielles

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