CY7C1313BV18-167BZC | |
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Modèle de produit | CY7C1313BV18-167BZC |
Fabricant | Infineon Technologies |
La description | IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
Quantité disponible | 2696 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | 1.CY7C1313BV18-167BZC.pdf2.CY7C1313BV18-167BZC.pdf3.CY7C1313BV18-167BZC.pdf |
CY7C1313BV18-167BZC Price |
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Informations techniques de CY7C1313BV18-167BZC | |||
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Référence fabricant | CY7C1313BV18-167BZC | Catégorie | Circuits intégrés (ci) |
Fabricant | Cypress Semiconductor | La description | IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
Paquet / cas | 165-FBGA (13x15) | Quantité disponible | 2696 pcs |
Écrire le temps de cycle - Word, Page | - | Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
La technologie | SRAM - Synchronous, QDR II | Package composant fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
Séries | - | Package / Boîte | 165-LBGA |
Emballer | Tray | Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount | Type de mémoire | Volatile |
Taille mémoire | 18Mbit | Organisation de mémoire | 1M x 18 |
Interface mémoire | Parallel | Format de mémoire | SRAM |
Fréquence d'horloge | 167 MHz | Numéro de produit de base | CY7C1313 |
Télécharger | CY7C1313BV18-167BZC PDF - EN.pdf |
CY7C1313BV18-167BZC
Mémoire SRAM volatile à haute vitesse.
Infineon Technologies
Technologie SRAM QDR II synchrone. Interface mémoire parallèle.
Fréquence d'horloge de 167 MHz. Fonctionne avec des tensions d'alimentation comprises entre 1,7 V et 1,9 V. Taille de mémoire de 18 Mbit avec une organisation de 1 M x 18.
Utilise la technologie SRAM synchrone. Type de mémoire classé comme volatile.
Conditionnement en surface monté 165-LBGA. Dimensions spécifiques au conditionnement 165-FBGA (13x15).
Conçu pour des températures de fonctionnement comprises entre 0 °C et 70 °C.
Optimisé pour des opérations à haute vitesse. Convient aux applications informatiques à haute performance.
Le statut obsolète peut affecter la compétitivité. Compétitif dans les applications nécessitant un accès mémoire rapide.
Compatible avec les dispositifs nécessitant des interfaces mémoire parallèles. Convient aux applications avec des exigences de tension d'alimentation comprises entre 1,7 V et 1,9 V.
Conforme aux exigences des composants électroniques standards pour les dispositifs de mémoire.
Le statut obsolète suggère une durabilité de production limitée. La durée de vie dépend des conditions opérationnelles et environnementales.
Utilisé dans l'informatique à haute performance et d'autres applications technologiques nécessitant un accès mémoire rapide.
Action CY7C1313BV18-167BZC | Prix CY7C1313BV18-167BZC | CY7C1313BV18-167BZC Electronique |
Composants CY7C1313BV18-167BZC | CY7C1313BV18-167BZC Inventaire | CY7C1313BV18-167BZC Digikey |
Fournisseur CY7C1313BV18-167BZC | Commandez CY7C1313BV18-167BZC en ligne | Demande CY7C1313BV18-167BZC |
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CY7C1313BV18-167BZC Fiche technique | Télécharger la fiche technique CY7C1313BV18-167BZC | Fabricant Cypress Semiconductor |