| CY7C1312KV18-300BZC | |
|---|---|
| Modèle de produit | CY7C1312KV18-300BZC |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
| Quantité disponible | 2826 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.CY7C1312KV18-300BZC.pdf2.CY7C1312KV18-300BZC.pdf3.CY7C1312KV18-300BZC.pdf4.CY7C1312KV18-300BZC.pdf5.CY7C1312KV18-300BZC.pdf6.CY7C1312KV18-300BZC.pdf |
| CY7C1312KV18-300BZC Price |
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| Informations techniques de CY7C1312KV18-300BZC | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | CY7C1312KV18-300BZC | Catégorie | Circuits intégrés (ci) |
| Fabricant | Cypress Semiconductor | La description | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
| Paquet / cas | 165-FBGA (13x15) | Quantité disponible | 2826 pcs |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - | Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
| La technologie | SRAM - Synchronous, QDR II | Package composant fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
| Séries | - | Package / Boîte | 165-LBGA |
| Emballer | Tray | Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount | Type de mémoire | Volatile |
| Taille mémoire | 18Mbit | Organisation de mémoire | 1M x 18 |
| Interface mémoire | Parallel | Format de mémoire | SRAM |
| Fréquence d'horloge | 300 MHz | Numéro de produit de base | CY7C1312 |
| Télécharger | CY7C1312KV18-300BZC PDF - EN.pdf | ||
Modèle de Produit
CY7C1312KV18-300BZC
Introduction
SRAM à taux de données quadruple synchrones II à haute vitesse
Marque et Fabricant
Infineon Technologies
Caractéristiques
Mémoire volatile, fonctionnement synchrone, technologie Quad Data Rate II (QDR II), 18 Mbit de capacité de stockage, interface mémoire parallèle, support d'une fréquence d'horloge allant jusqu'à 300 MHz
Performance du Produit
Temps d'accès aux données rapides, support pour les applications à haute fréquence, stockage de données stable et fiable
Spécifications Techniques
Organisation mémoire 1M x 18, tension d'alimentation comprise entre 1,7V et 1,9V, plage de température opérationnelle de 0°C à 70°C, type de mémoire SRAM
Dimensions, Forme et Conditionnement
Montage en surface 165-LBGA, emballé dans un plateau, dimensions de l'emballage 165-FBGA (13x15)
Qualité et Fiabilité
Technologie éprouvée d'Infineon Technologies, statut 'Last Time Buy' indiquant la maturité du produit
Avantages du Produit
Conçu pour des applications synchrones à haute vitesse, grande capacité mémoire pour des opérations complexes
Compétitivité du Produit
Avantage compétitif sur le marché des SRAM synchrones, adapté pour l'informatique haute performance et les réseaux
Compatibilité
Interface mémoire parallèle pour une large utilisation dans diverses applications, compatible avec différentes familles de logique standard grâce à un large support de tension
Certification et Conformité aux Normes
Conformité aux spécifications standard de l'industrie pour les circuits intégrés, respect des normes de qualité et électroniques d'Infineon Technologies
Durée de Vie et Durabilité
Conçu pour un fonctionnement fiable à long terme dans des conditions spécifiées
Champs d'Application Réels
Réseautage, informatique haute performance, télécommunications, applications industrielles
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| Action CY7C1312KV18-300BZC | Prix CY7C1312KV18-300BZC | CY7C1312KV18-300BZC Electronique |
| Composants CY7C1312KV18-300BZC | CY7C1312KV18-300BZC Inventaire | CY7C1312KV18-300BZC Digikey |
| Fournisseur CY7C1312KV18-300BZC | Commandez CY7C1312KV18-300BZC en ligne | Demande CY7C1312KV18-300BZC |
| CY7C1312KV18-300BZC Image | CY7C1312KV18-300BZC Photo | CY7C1312KV18-300BZC PDF |
| CY7C1312KV18-300BZC Fiche technique | Télécharger la fiche technique CY7C1312KV18-300BZC | Fabricant Cypress Semiconductor |
