| CY7C1312CV18-167BZI | |
|---|---|
| Modèle de produit | CY7C1312CV18-167BZI |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
| Quantité disponible | 4242 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.CY7C1312CV18-167BZI.pdf2.CY7C1312CV18-167BZI.pdf3.CY7C1312CV18-167BZI.pdf |
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| Informations techniques de CY7C1312CV18-167BZI | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | CY7C1312CV18-167BZI | Catégorie | Circuits intégrés (ci) |
| Fabricant | Cypress Semiconductor | La description | IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
| Paquet / cas | 165-FBGA (13x15) | Quantité disponible | 4242 pcs |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - | Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
| La technologie | SRAM - Synchronous, QDR II | Package composant fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
| Séries | - | Package / Boîte | 165-LBGA |
| Emballer | Tray | Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount | Type de mémoire | Volatile |
| Taille mémoire | 18Mbit | Organisation de mémoire | 1M x 18 |
| Interface mémoire | Parallel | Format de mémoire | SRAM |
| Fréquence d'horloge | 167 MHz | Numéro de produit de base | CY7C1312 |
| CY7C1312CV18-167BZI Détails PDF [English] | CY7C1312CV18-167BZI PDF - EN.pdf | ||
| Télécharger | CY7C1312CV18-167BZI Détails PDF | ||
Modèle de Produit
CY7C1312CV18-167BZI
Introduction
SRAM synchrone à haute vitesse conçu pour des applications de calcul haute performance.
Marque et Fabricant
Infineon Technologies
Caractéristiques
Type de mémoire volatile, SRAM synchrone avec technologie QDR II, interface mémoire parallèle, prend en charge des fréquences d'horloge élevées pour un accès rapide aux données.
Performance du Produit
Taille de la mémoire : 18 Mbit, Organisation de la mémoire : 1M x 18, Fréquence d'horloge : 167 MHz, Fiabilité et stabilité élevées dans des conditions de température extrêmes allant de -40°C à 85°C.
Spécifications Techniques
Type de mémoire : SRAM - Synchrone, QDR II, Tension d'alimentation : 1,7V ~ 1,9V, Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C.
Dimensions, Forme et Conditionnement
Emballage / boîtier : 165-LBGA, Paquet fournisseur : 165-FBGA (13x15), Emballage de type montage en surface.
Qualité et Fiabilité
Fonctionne efficacement dans une large gamme de températures, conçu pour une durabilité dans des environnements robustes.
Avantages du Produit
Capacités de traitement de données à haute vitesse, consommation d'énergie efficace dans un faible éventail de tension d'alimentation.
Compétitivité du Produit
Surpasse des modules de mémoire similaires en rapidité et en efficacité, bien adapté aux tâches de calcul exigeantes.
Compatibilité
Compatible avec les systèmes nécessitant une mémoire volatile et synchrone à haute vitesse.
Certification et Conformité aux Normes
Répond aux spécifications industrielles standard pour les dispositifs SRAM synchrones.
Durée de Vie et Durabilité
Conçu pour une stabilité de performance à long terme sous diverses conditions opérationnelles.
Champs d'Application Réels
Utilisé dans le calcul haute performance, les équipements de mise en réseau et de télécommunications.
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ CY7C1312CV18-167BZI Online.
| Action CY7C1312CV18-167BZI | Prix CY7C1312CV18-167BZI | CY7C1312CV18-167BZI Electronique |
| Composants CY7C1312CV18-167BZI | CY7C1312CV18-167BZI Inventaire | CY7C1312CV18-167BZI Digikey |
| Fournisseur CY7C1312CV18-167BZI | Commandez CY7C1312CV18-167BZI en ligne | Demande CY7C1312CV18-167BZI |
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| CY7C1312CV18-167BZI Fiche technique | Télécharger la fiche technique CY7C1312CV18-167BZI | Fabricant Cypress Semiconductor |
