Modèle de Produit

CY7C197-45VC

Introduction

Puces de mémoire SRAM à haute vitesse pour applications électroniques.

Marque et Fabricant

Infineon Technologies

Caractéristiques

Technologie SRAM asynchrone, interface mémoire parallèle, temps de cycle d'écriture rapide, temps d'accès rapide pour une performance élevée.

Performance du Produit

Taille de mémoire de 256 Kbit, organisation de mémoire 64K x 4, temps de cycle d'écriture de 45 nanosecondes, temps d'accès de 45 nanosecondes.

Spécifications Techniques

Type de mémoire volatile, utilisant la technologie SRAM - asynchrone.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier de montage en surface 24-BSOJ, emballage en vrac, dimensions conformes à l'empreinte standard 24-SOJ.

Qualité et Fiabilité

Durable sous des températures de fonctionnement standard, conçu pour une performance constante.

Avantages du Produit

Optimisé pour des opérations à haute vitesse, rétention de données fiable en état actif.

Compétitivité du Produit

Temps d'accès et de cycle compétitifs pour les technologies SRAM, marque reconnue pour la qualité des composants électroniques.

Compatibilité

Compatible avec des tensions d'alimentation de 4,5V à 5,5V, interface parallèle pour intégration avec des microcontrôleurs et des systèmes numériques.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes de l'industrie pour les puces mémoire SRAM.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de fonctionnement dans une plage de température spécifiée.

Champs d'Application Réels

Utilisé dans des systèmes électroniques nécessitant un accès mémoire rapide tels que les systèmes embarqués, l'informatique et les télécommunications.

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