Modèle de Produit

CY7C199-12VI

Introduction

Chip SRAM CMOS haute vitesse

Marque et Fabricant

Cypress Semiconductor

Caractéristiques

Configuration 32K x 8 bits, temps d'accès élevé, faible consommation d'énergie, entrées et sorties compatibles TTL

Performance du Produit

Temps d'accès rapide de 12 ns, plage de tension de fonctionnement de 4,5V à 5,5V, puissance active maximale de 165 mW, puissance de veille maximale de 5 mW

Spécifications Techniques

Mémoire vive statique (SRAM), taille de mémoire de 32 768 mots par 8 bits, courant de fonctionnement de 70 mA

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier SOJ (Small Outline J-leaded) à 28 broches

Qualité et Fiabilité

Technologie CMOS de haute qualité, conservation des données fiable

Avantages du Produit

Idéal pour les applications mémoire haute vitesse, faible consommation en veille idéale pour les appareils alimentés par batterie

Compétitivité du Produit

Temps d'accès compétitif sur le marché des SRAM, fiabilité largement reconnue de Cypress

Compatibilité

Compatible niveau TTL, brochage standard JEDEC

Certification et Conformité aux Normes

Répond aux spécifications standards JEDEC ou les dépasse

Durée de Vie et Durabilité

Durable avec une longue durée de vie opérationnelle

Champs d'Application Réels

Télécommunications, systèmes informatiques, systèmes de contrôle industriel, électronique médicale

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