Modèle de Produit

NT5CC256M8FN-DI

Introduction

Circuit intégré de mémoire

Marque et Fabricant

NANYA Technology Corporation

Caractéristiques

Type de mémoire : DRAM ; Configuration : 256 Méga x 8 ; Tension : 1,5 V

Performance du Produit

Transfert de données haute vitesse ; Faible consommation d'énergie ; Performance stable sur une large plage de températures

Spécifications Techniques

Type de circuit intégré : Circuit intégré de mémoire spécialisé ; Débit de données : PC3-12800 ; Vérification des erreurs : Non-ECC ; Statut RoHS : Conforme

Dimensions, Forme et Conditionnement

Facteur de forme : FBGA (réseau de billes à pitch fin) ; Taille de l'emballage : FBGA standard

Qualité et Fiabilité

Tests de température étendue ; Programmes d'assurance qualité ; Support du temps moyen entre pannes (MTBF)

Avantages du Produit

Durabilité améliorée ; Conception écoénergétique ; Convient aux modules à haute densité

Compétitivité du Produit

Tarification compétitive ; Forte présence sur le marché ; Fiabilité largement reconnue

Compatibilité

Compatible avec divers contrôleurs de mémoire ; Prend en charge les protocoles et commandes standard de l'industrie

Certification et Conformité aux Normes

Sans plomb ; Conforme à la directive RoHS ; Spécifications JEDEC

Durée de Vie et Durabilité

Longue durée de vie opérationnelle ; Conçu pour un usage continu ; Prend en charge les modes d'économie d'énergie pour un usage durable

Champs d'Application Réels

Ordinateurs personnels ; Équipements de mise en réseau ; Électronique grand public ; Serveurs et centres de données

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