Modèle de Produit

NT5CC256M16ER-EKT

Introduction

Circuit intégré DRAM pour les applications de mémoire

Marque et Fabricant

NANYA

Caractéristiques

Circuit intégré mémoire à haute densité, faible consommation d'énergie, plage de température étendue

Performance du Produit

Conservation des données stable, temps d'accès rapides, cycles de lecture/écriture fiables

Spécifications Techniques

Technologie DDR3 SDRAM, largeur de données de 16 bits

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage standard de l'industrie, technologie de montage en surface, soudable par refusion

Qualité et Fiabilité

MTBF élevé (Temps Moyen Entre Pannes), résistant au stress environnemental, normes de test complètes

Avantages du Produit

Durabilité améliorée, gestion efficace de l'énergie, fonctionnement à haute vitesse

Compétitivité du Produit

Tarification compétitive, forte présence sur le marché, largement reconnu pour sa fiabilité

Compatibilité

Compatible avec les emplacements DDR3 SDRAM standards, facilité d'intégration avec diverses cartes mères

Certification et Conformité aux Normes

Conforme RoHS, respecte les normes JEDEC

Durée de Vie et Durabilité

Longue durée de vie opérationnelle, options de recyclage et d'élimination écologiques

Champs d'Application Réels

Électronique grand public, appareils informatiques, matériel de mise en réseau, systèmes embarqués

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