Modèle de Produit

Si3863BDV-T1-GE3

Introduction

Circuit intégré spécialisé de Vishay conçu pour des applications de gestion de l'énergie.

Marque et Fabricant

Vishay

Caractéristiques

Faible résistance à l'état passant, commutation haute vitesse, faible tension de seuil de porte, sans halogène selon la définition IEC 61249-2-21, technologie MOSFET TrenchFET.

Performance du Produit

Excellente performance thermique, haute efficacité grâce à de faibles pertes de conduction, oxyde de porte robuste pour une haute fiabilité.

Spécifications Techniques

MOSFET à canal P, Vds (tension drain-source) = -12V, Id (courant drain continu) = -8A, Rds On (max) à Id, Vgs = 17 mOhm à -4.5V, -8A, Vgs(th) (tension de seuil de porte) = -1V.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier de petite taille, sans plomb (Pb) disponible en bande et bobine, emballage TSOP-6.

Qualité et Fiabilité

Haute fiabilité et longue durée de vie opérationnelle, conforme aux normes de qualité de Vishay.

Avantages du Produit

Économies d'énergie grâce à de faibles pertes de puissance, miniaturisation des produits finis grâce à un petit boîtier.

Compétitivité du Produit

Prix compétitifs, haute performance dans les solutions de gestion de l'énergie.

Compatibilité

Compatible avec de nombreux niveaux de signal, adapté aux sources de commande de porte de niveau logique.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme à la directive RoHS, sans halogène, conforme à REACH, respecte les normes environnementales de Vishay.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une durabilité à long terme, respectueux de l'environnement grâce à une faible consommation d'énergie.

Champs d'Application Réels

Gestion de l'énergie, dispositifs alimentés par batterie, commutation de charge/pouvoir, électronique portable.

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