Si3865DV-T1-GE3
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Modèle de Produit

Si3865DV-T1-GE3

Introduction

Circuit intégré Mosfet de puissance conçu pour une gestion efficace de l'énergie.

Marque et Fabricant

Vishay Siliconix

Caractéristiques

Faible résistance à l'état passant, Commutation à haute vitesse, Charge de grille minimisée, Faible tension de seuil.

Performance du Produit

Capacité améliorée de gestion de la puissance, Fonctionnement stable sur une large plage de températures.

Spécifications Techniques

P-Channel -30V -3.7A (Ta) , MOSFET PowerTrench, Montage en surface.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage SOT-23-6, Design petit et compact, Emballage standard en bande et bobine pour SMT.

Qualité et Fiabilité

Qualité et fiabilité éprouvées de Vishay, Qualifié AEC-Q101, Performance étendue à chaud.

Avantages du Produit

Fonctionnement économe en énergie, Empreinte thermique réduite, Résistant aux commutations fréquentes.

Compétitivité du Produit

Tarification compétitive pour des solutions de gestion de l'énergie, Performance supérieure dans des applications légères.

Compatibilité

Compatible avec les processus SMT courants, Polyvalent pour divers circuits électroniques.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme à la directive RoHS, Certifié AEC-Q101, Respecte les certifications standard de l'industrie.

Durée de Vie et Durabilité

Longue durée de vie opérationnelle dans des conditions recommandées, Composant sans plomb (Pb) et sans halogène.

Champs d'Application Réels

Gestion de l'énergie pour dispositifs portables, Électroniques alimentées par batterie, Convertisseurs DC/DC, Applications de commutation de charge.

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