IPG20N04S409AATMA1
Modèle de produit IPG20N04S409AATMA1
Fabricant Infineon Technologies
La description N-CHANNEL POWER MOSFET
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Informations techniques de IPG20N04S409AATMA1
Référence fabricant IPG20N04S409AATMA1 Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) La description N-CHANNEL POWER MOSFET
Paquet / cas PG-TDSON-8-4 Quantité disponible 2500 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 22µA La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-4 Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V Puissance - Max 54W (Tc)
Package / Boîte 8-PowerVDFN Emballer Bulk
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Fonction FET - Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) Configuration 2 N-Channel (Dual)
Numéro de produit de base IPG20N  
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