| IPG20N04S4L11AATMA1 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IPG20N04S4L11AATMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON |
| Quantité disponible | 2631 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IPG20N04S4L11AATMA1.pdf2.IPG20N04S4L11AATMA1.pdf3.IPG20N04S4L11AATMA1.pdf4.IPG20N04S4L11AATMA1.pdf |
| IPG20N04S4L11AATMA1 Price |
Demande de prix et délai de livraison en ligne or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informations techniques de IPG20N04S4L11AATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IPG20N04S4L11AATMA1 | Catégorie | |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON |
| Paquet / cas | PG-TDSON-8-10 | Quantité disponible | 2631 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 15µA | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TDSON-8-10 | Séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 17A, 10V | Puissance - Max | 41W |
| Package / Boîte | 8-PowerVDFN | Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount, Wettable Flank |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 40V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A | Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Numéro de produit de base | IPG20N | ||
| Télécharger | IPG20N04S4L11AATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Modèle de Produit
IPG20N04S4L11AATMA1
Introduction
MOSFET de Porte de Niveau Logique Canal N
Marque et Fabricant
International Rectifier (Infineon Technologies)
Caractéristiques
MOSFET à Double Canal N, Porte de Niveau Logique, Qualifié AEC-Q101 pour Applications Automobiles, Sans Plomb et Conforme à la Directive RoHS, Technologie OptiMOS pour l'Optimisation des Performances
Performance du Produit
Capacité de Courant Élevée : 20A de Drain Continu, Résistance de Drain à Source en Marche : 11.6 mOhm, Performance Thermique Améliorée
Spécifications Techniques
Tension Drain-Source : 40V, Charge de Porte : 26nC, Capacité d'Entrée : 1990pF, Puissance Max : 41W, Rds On : 11.6 mOhm
Dimensions, Forme et Conditionnement
Emballage : 8-PowerVDFN, Type de Montage : Montage en Surface, Emballage : Bande & Rouleau
Qualité et Fiabilité
Gamme de Température de Fonctionnement : -55°C à 175°C, Adapté aux Environnements Automobiles Rigoureux
Avantages du Produit
Haute Efficacité avec Dissipation de Puissance Faible, Emballage Compact PG-TDSON-8 pour une Economie d'Espace
Compétitivité du Produit
Prix Compétitif, Durable et Fiable selon les Normes de l'Industrie Automobile
Compatibilité
Compatible avec le Montage en Surface au Format PG-TDSON-8
Certification et Conformité aux Normes
Certifié AEC-Q101, Conforme à la Directive RoHS
Durée de Vie et Durabilité
Conçu pour la Fiabilité à Long Terme dans les Applications Automobiles
Champs d'Application Réels
Électronique Automobile, Systèmes de Gestion de l'Énergie, Convertisseurs DC-DC, Drives de Moteurs
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ IPG20N04S4L11AATMA1 Online.
| Action IPG20N04S4L11AATMA1 | Prix IPG20N04S4L11AATMA1 | IPG20N04S4L11AATMA1 Electronique |
| Composants IPG20N04S4L11AATMA1 | IPG20N04S4L11AATMA1 Inventaire | IPG20N04S4L11AATMA1 Digikey |
| Fournisseur IPG20N04S4L11AATMA1 | Commandez IPG20N04S4L11AATMA1 en ligne | Demande IPG20N04S4L11AATMA1 |
| IPG20N04S4L11AATMA1 Image | IPG20N04S4L11AATMA1 Photo | IPG20N04S4L11AATMA1 PDF |
| IPG20N04S4L11AATMA1 Fiche technique | Télécharger la fiche technique IPG20N04S4L11AATMA1 | Fabricant Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
