IPG20N06S2L35AATMA1 | |
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Modèle de produit | IPG20N06S2L35AATMA1 |
Fabricant | Infineon Technologies |
La description | MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON |
Quantité disponible | 31000 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | 1.IPG20N06S2L35AATMA1.pdf2.IPG20N06S2L35AATMA1.pdf3.IPG20N06S2L35AATMA1.pdf4.IPG20N06S2L35AATMA1.pdf |
IPG20N06S2L35AATMA1 Price |
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Informations techniques de IPG20N06S2L35AATMA1 | |||
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Référence fabricant | IPG20N06S2L35AATMA1 | Catégorie | |
Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON |
Paquet / cas | PG-TDSON-8-10 | Quantité disponible | 31000 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 27µA | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PG-TDSON-8-10 | Séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 15A, 10V | Puissance - Max | 65W |
Package / Boîte | 8-PowerVDFN | Emballer | Tape & Reel (TR) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount, Wettable Flank |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 55V |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) | Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
Numéro de produit de base | IPG20N | ||
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Action IPG20N06S2L35AATMA1 | Prix IPG20N06S2L35AATMA1 | IPG20N06S2L35AATMA1 Electronique | |||
Composants IPG20N06S2L35AATMA1 | IPG20N06S2L35AATMA1 Inventaire | IPG20N06S2L35AATMA1 Digikey | |||
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