Informations techniques de IPG20N06S415ATMA2
Référence fabricant
IPG20N06S415ATMA2
Catégorie
Fabricant
Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
La description
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Paquet / cas
PG-TDSON-8-4
Quantité disponible
2580 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
PG-TDSON-8-4
Séries
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 17A, 10V
Puissance - Max
50W
Package / Boîte
8-PowerVDFN
Emballer
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2260pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
20A
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Numéro de produit de base
IPG20N
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