| IPG20N06S4L26AATMA1 | |
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| Modèle de produit | IPG20N06S4L26AATMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON |
| Quantité disponible | 2500 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IPG20N06S4L26AATMA1.pdf2.IPG20N06S4L26AATMA1.pdf3.IPG20N06S4L26AATMA1.pdf4.IPG20N06S4L26AATMA1.pdf |
| IPG20N06S4L26AATMA1 Price |
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| Informations techniques de IPG20N06S4L26AATMA1 | |||
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| Référence fabricant | IPG20N06S4L26AATMA1 | Catégorie | |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON |
| Paquet / cas | PG-TDSON-8-10 | Quantité disponible | 2500 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TDSON-8-10 | Séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 17A, 10V | Puissance - Max | 33W |
| Package / Boîte | 8-PowerVDFN | Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount, Wettable Flank |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A | Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Numéro de produit de base | IPG20N | ||
| Télécharger | IPG20N06S4L26AATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Modèle de Produit
IPG20N06S4L26AATMA1
Introduction
MOSFET double canal à canal N haute performance de grade automobile
Marque et Fabricant
Infineon Technologies (anciennement International Rectifier)
Caractéristiques
MOSFET double canal N logique niveau de porte, capacité de gestion de puissance élevée, optimisé pour les applications automobiles, emballage de puissance de haute densité, certifié AEC-Q101 pour la fiabilité automobile
Performance du Produit
Performances thermiques excellentes, robustesse contre les transitoires rapides, faible résistance de conduction Rds(on), capacité de courant élevée
Spécifications Techniques
Vdss: 60V, Id: 20A en continu à 25°C, Rds On: 26 mOhm à 17A, 10V, Vgs(th): 2.2V à 10A, Qg: 20nC à 10V, Ciss: 1430pF à 25V
Dimensions, Forme et Conditionnement
Emballage PG-TDSON-8-10, montage en surface, bobine et enroulement (TR) pour l'assemblage automatisé
Qualité et Fiabilité
Conformité aux normes AEC-Q101, exempt de plomb et conforme à la directive RoHS, opération à haute température jusqu'à 175°C
Avantages du Produit
Pertes de conduction faibles, pertes de commutation réduites, capacités de fréquence de commutation élevées
Compétitivité du Produit
Competitif dans l'industrie automobile pour une haute fiabilité, adapté aux conditions environnementales difficiles
Compatibilité
Compatible avec les processus de montage en surface standard, compatible avec la commande de porte niveau logique
Certification et Conformité aux Normes
Qualifié AEC-Q101, conforme à la directive RoHS
Durée de Vie et Durabilité
Évalué pour une durée de vie opérationnelle étendue sous conditions automobiles, conçu pour une performance énergétiquement efficace
Champs d'Application Réels
Systèmes automobiles, y compris le contrôle du train et du châssis, unités de conversion d'énergie haute efficacité, systèmes de gestion de l'énergie, applications industrielles nécessitant des MOSFETs fiables à haute densité de puissance
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