| IPG20N10S4L22ATMA1 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IPG20N10S4L22ATMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Quantité disponible | 2956 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf2.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf3.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf4.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf5.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf |
| IPG20N10S4L22ATMA1 Price |
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| Informations techniques de IPG20N10S4L22ATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IPG20N10S4L22ATMA1 | Catégorie | |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Paquet / cas | PG-TDSON-8-4 | Quantité disponible | 2956 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 25µA | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TDSON-8-4 | Séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 17A, 10V | Puissance - Max | 60W |
| Package / Boîte | 8-PowerVDFN | Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1755pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A | Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Numéro de produit de base | IPG20N | ||
| Télécharger | IPG20N10S4L22ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Modèle de Produit
IPG20N10S4L22ATMA1
Introduction
Transistor MOSFET à canal N avec commande logique.
Marque et Fabricant
Infineon Technologies (anciennement International Rectifier)
Caractéristiques
Transistor MOSFET à double canal N, Commande logique, Qualifié AEC-Q101, Conçu pour applications automobiles, Technologie OptiMOS pour une haute efficacité.
Performance du Produit
Capacité de courant élevée - 20A en drain continu, Faible résistance à l'état passant - 22 mOhm, Gestion de puissance améliorée - maximum 60W, Performances thermiques robustes - Température de fonctionnement de -55°C à 175°C.
Spécifications Techniques
Tension Drain à Source (Vdss) - 100V, Tension de seuil Gate-Source (Vgs(th)) - 2.1V @ 25µA, Charge de la grille (Qg) - 27nC, Capacité d'entrée (Ciss) - 1755pF.
Dimensions, Forme et Conditionnement
Emballage en surface PG-TDSON-8-4, Emballage du fabricant - PG-TDSON-8-4, Emballage - Bande & bobine (TR).
Qualité et Fiabilité
Conforme à la directive RoHS, Sans plomb, Conçu pour des normes automobiles strictes.
Avantages du Produit
Densité de puissance améliorée, Pertes de conduction réduites, Pertes de commutation réduites, Configuration haute et basse.
Compétitivité du Produit
Résistance à l'état passant compétitive, Haute efficacité pour les applications de conversion d'énergie, Adapté à des environnements avec des contraintes de haute température.
Compatibilité
Convient aux techniques de montage en surface courantes, Commande logique compatible avec les tensions de pilotage standards.
Certification et Conformité aux Normes
Certifié AEC-Q101 pour la fiabilité automobile, Conforme à la directive RoHS pour la protection de l'environnement.
Durée de Vie et Durabilité
Conçu pour une longévité dans des environnements difficiles, Optimisé pour une consommation d'énergie réduite et une génération de chaleur minimale.
Champs d'Application Réels
Électronique automobile, Gestion de l'énergie, Convertisseurs DC-DC, Entraînements de moteurs, Systèmes de gestion de batteries.
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