| IPG20N10S4L35ATMA1 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Quantité disponible | 4000 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf2.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf3.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf4.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf |
| IPG20N10S4L35ATMA1 Price |
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| Informations techniques de IPG20N10S4L35ATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IPG20N10S4L35ATMA1 | Catégorie | |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Paquet / cas | PG-TDSON-8-4 | Quantité disponible | 4000 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 16µA | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TDSON-8-4 | Séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 17A, 10V | Puissance - Max | 43W |
| Package / Boîte | 8-PowerVDFN | Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A | Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Numéro de produit de base | IPG20N | ||
| Télécharger | IPG20N10S4L35ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Modèle de Produit
IPG20N10S4L35ATMA1
Introduction
Transistor MOSFET N-Channel haute performance
Marque et Fabricant
International Rectifier (Infineon Technologies)
Caractéristiques
MOSFET à niveau logique, configuration double N-Channel, haute efficacité et densité de puissance, certifié AEC-Q101 pour les applications automobiles, optimisé pour des commutations rapides
Performance du Produit
Excellente performance thermique, oxyde de grille robuste pour une fiabilité élevée, courant continu de drain élevé de 20A
Spécifications Techniques
Tension de drain à source (Vdss) de 100V, Rds On de 35 mOhm à 17A et 10V, charge de grille (Qg) de 17.4nC à 10V, capacité d'entrée (Ciss) de 1105pF à 25V
Dimensions, Forme et Conditionnement
Boîtier PowerVDFN 8 (PG-TDSON-8-4), technologie de montage en surface, emballage en bande et sous forme de bobine (TR) pour assemblage automatique
Qualité et Fiabilité
Sans plomb et conforme à la directive RoHS pour la durabilité environnementale, certifié AEC-Q101 selon les normes électroniques pour véhicules, conçu pour une fiabilité à long terme dans des conditions difficiles
Avantages du Produit
Haute densité de puissance permettant des conceptions compactes, efficacité améliorée réduisant les pertes d'énergie, adapté aux sources de commande de grille à niveau logique
Compétitivité du Produit
Rds On et courant de drain compétitifs dans sa catégorie, bien adapté aux applications automobiles et industrielles, soutien mondial solide de la part d'Infineon Technologies
Compatibilité
Compatible avec une large gamme de tensions d'alimentation de grille, adapté à diverses applications de commutation haute et basse
Certification et Conformité aux Normes
Conforme à la norme AEC-Q101 pour les exigences de fiabilité automobile, entièrement conforme à la directive RoHS pour les normes environnementales
Durée de Vie et Durabilité
Conçu pour résister à des températures extrêmes allant de -55°C à 175°C, construit pour un fonctionnement à long terme et une durée de vie dans des environnements exigeants
Champs d'Application Réels
Systèmes automobiles, gestion de l'énergie industrielle, alimentations électriques et convertisseurs, circuits de contrôle de moteur
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