| IPG20N06S4L11AATMA1 | |
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| Modèle de produit | IPG20N06S4L11AATMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Quantité disponible | 10500 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IPG20N06S4L11AATMA1.pdf2.IPG20N06S4L11AATMA1.pdf3.IPG20N06S4L11AATMA1.pdf |
| IPG20N06S4L11AATMA1 Price |
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| Informations techniques de IPG20N06S4L11AATMA1 | |||
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| Référence fabricant | IPG20N06S4L11AATMA1 | Catégorie | |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Paquet / cas | PG-TDSON-8-10 | Quantité disponible | 10500 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 28µA | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TDSON-8-10 | Séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 17A, 10V | Puissance - Max | 65W |
| Package / Boîte | 8-PowerVDFN | Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount, Wettable Flank |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4020pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A | Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Numéro de produit de base | IPG20N | ||
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