| IPG20N10S4L35AATMA1 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IPG20N10S4L35AATMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON |
| Quantité disponible | 2378 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IPG20N10S4L35AATMA1.pdf2.IPG20N10S4L35AATMA1.pdf3.IPG20N10S4L35AATMA1.pdf4.IPG20N10S4L35AATMA1.pdf |
| IPG20N10S4L35AATMA1 Price |
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| Informations techniques de IPG20N10S4L35AATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IPG20N10S4L35AATMA1 | Catégorie | |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON |
| Paquet / cas | PG-TDSON-8-10 | Quantité disponible | 2378 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 16µA | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TDSON-8-10 | Séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 17A, 10V | Puissance - Max | 43W |
| Package / Boîte | 8-PowerVDFN | Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount, Wettable Flank |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A | Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Numéro de produit de base | IPG20N | ||
| Télécharger | IPG20N10S4L35AATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Modèle de Produit
IPG20N10S4L35AATMA1
Introduction
Transistor MOSFET à canal N logique de puissance double
Marque et Fabricant
International Rectifier (Infineon Technologies)
Caractéristiques
Transistor MOSFET à double canal N, porte de niveau logique, conçu pour des applications automobiles
Performance du Produit
Capacité de courant élevée : 20A drain continu, faible résistance à l'état passant : 35 mOhm, large plage de température de fonctionnement : -55°C à 175°C
Spécifications Techniques
Tension de Drain à Source (Vdss) : 100V, charge de porte (Qg) : 17.4nC, capacité d'entrée (Ciss) : 1105pF, puissance max : 43W
Dimensions, Forme et Conditionnement
Emballage : PG-TDSON-8-10, montage en surface 8-PowerVDFN, bande & bobine (TR) pour assemblage automatisé
Qualité et Fiabilité
Certifié AEC-Q101 pour la fiabilité automobile, sans plomb et conforme à la directive RoHS
Avantages du Produit
Densité de puissance élevée, faible dissipation de puissance, performance thermique améliorée
Compétitivité du Produit
Optimisé pour des applications automobiles haute performance
Compatibilité
Compatible avec la technologie de montage en surface standard
Certification et Conformité aux Normes
Certifié AEC-Q101, conforme à la directive RoHS
Durée de Vie et Durabilité
Conception durable pour une durée de vie prolongée dans des conditions automobiles difficiles
Champs d'Application Réels
Gestion de l'énergie automobile, convertisseurs DC-DC, contrôles d'entraînement de moteur
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ IPG20N10S4L35AATMA1 Online.
| Action IPG20N10S4L35AATMA1 | Prix IPG20N10S4L35AATMA1 | IPG20N10S4L35AATMA1 Electronique |
| Composants IPG20N10S4L35AATMA1 | IPG20N10S4L35AATMA1 Inventaire | IPG20N10S4L35AATMA1 Digikey |
| Fournisseur IPG20N10S4L35AATMA1 | Commandez IPG20N10S4L35AATMA1 en ligne | Demande IPG20N10S4L35AATMA1 |
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| IPG20N10S4L35AATMA1 Fiche technique | Télécharger la fiche technique IPG20N10S4L35AATMA1 | Fabricant Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
