| ISP12DP06NMXTSA1 | |
|---|---|
| Modèle de produit | ISP12DP06NMXTSA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 |
| Quantité disponible | 756 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.ISP12DP06NMXTSA1.pdf2.ISP12DP06NMXTSA1.pdf3.ISP12DP06NMXTSA1.pdf4.ISP12DP06NMXTSA1.pdf |
| ISP12DP06NMXTSA1 Price |
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| Informations techniques de ISP12DP06NMXTSA1 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | ISP12DP06NMXTSA1 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 |
| Paquet / cas | PG-SOT223-4 | Quantité disponible | 756 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 520µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-SOT223-4 |
| Séries | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.8A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) | Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 30 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20.2 nC @ 10 V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.8A (Ta) |
| Numéro de produit de base | ISP12DP06 |
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