| ISP13DP06NMSATMA1 | |
|---|---|
| Modèle de produit | ISP13DP06NMSATMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET P-CH 60V SOT223 |
| Quantité disponible | Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.ISP13DP06NMSATMA1.pdf2.ISP13DP06NMSATMA1.pdf3.ISP13DP06NMSATMA1.pdf |
| ISP13DP06NMSATMA1 Price |
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| Informations techniques de ISP13DP06NMSATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | ISP13DP06NMSATMA1 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET P-CH 60V SOT223 |
| Paquet / cas | PG-SOT223 | Quantité disponible | Available Stock |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-SOT223 |
| Séries | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Dissipation de puissance (max) | - | Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Surface Mount | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - |
| Tension drain-source (Vdss) | 60 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.8A (Ta) |
| Numéro de produit de base | ISP13DP06 |
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