| IXFP76N15T2 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IXFP76N15T2 |
| Fabricant | IXYS |
| La description | MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB |
| Quantité disponible | 6194 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | IXFP76N15T2.pdf |
| Télécharger | IXFP76N15T2 Détails PDF |
| IXFP76N15T2 Price |
Demande de prix et délai de livraison en ligne or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informations techniques de IXFP76N15T2 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IXFP76N15T2 | Catégorie | |
| Fabricant | IXYS / Littelfuse | La description | MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB |
| Paquet / cas | TO-220-3 | Quantité disponible | 6194 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-220-3 |
| Séries | HiPerFET™, TrenchT2™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 38A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 350W (Tc) | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5800 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 97 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 150 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 76A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IXFP76 | IXFP76N15T2 Détails PDF [English] | IXFP76N15T2 PDF - EN.pdf |
| Télécharger | IXFP76N15T2 Détails PDF | ||
Modèle de Produit
IXFP76N15T2
Introduction
Transistor MOSFET haute performance de type N-Channel.
Marque et Fabricant
IXYS Corporation.
Caractéristiques
MOSFET (Transistor à oxyde métallique), canal N, haute capacité de dissipation de puissance, faible résistance Rds (on), technologie TrenchT2 pour des performances améliorées.
Performance du Produit
Conversion de puissance efficace, capacité de courant élevée, large gamme de températures de fonctionnement, performances thermiques robustes.
Spécifications Techniques
Type de FET : N-Channel, Tension Drain à Source (Vdss) : 150V, Courant - Drain continu (Id) à 25°C : 76A (Tc), Rds On (Max) à Id, Vgs : 20 mOhm à 38A, 10V.
Dimensions, Forme et Conditionnement
Type de montage à travers le trou, boîtier TO-220-3, package de fournisseur TO-220AB, emballage en tube pour l'expédition et le maniement.
Qualité et Fiabilité
Conçu pour une fiabilité à long terme, soumis à des processus de contrôle qualité rigoureux.
Avantages du Produit
Haute efficacité de commutation, adapté aux applications à haute puissance, faible résistance thermique.
Compétitivité du Produit
Compétitif sur les marchés des MOSFET à courant élevé et à haute tension, offre efficacité et fiabilité pour des applications énergivores.
Compatibilité
Compatible avec un large éventail de circuits électroniques.
Certification et Conformité aux Normes
Sans plomb / Conforme RoHS, répond aux réglementations environnementales et de sécurité.
Durée de Vie et Durabilité
Conçu pour durer sous des conditions de fonctionnement à fort stress.
Champs d'Application Réels
Alimentations, contrôles de moteur, onduleurs, applications automobiles.
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ IXFP76N15T2 Online.
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