| IXFQ24N50P2 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IXFQ24N50P2 |
| Fabricant | IXYS |
| La description | MOSFET N-CH 500V 24A TO3P |
| Quantité disponible | 2659 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IXFQ24N50P2.pdf2.IXFQ24N50P2.pdf |
| IXFQ24N50P2 Price |
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| Informations techniques de IXFQ24N50P2 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IXFQ24N50P2 | Catégorie | |
| Fabricant | IXYS / Littelfuse | La description | MOSFET N-CH 500V 24A TO3P |
| Paquet / cas | TO-3P | Quantité disponible | 2659 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-3P |
| Séries | HiPerFET™, PolarP2™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 480W (Tc) | Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2890 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 500 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 24A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IXFQ24 | ||
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