| IXFQ90N20X3 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IXFQ90N20X3 |
| Fabricant | IXYS |
| La description | MOSFET N-CH 200V 90A TO3P |
| Quantité disponible | 2683 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IXFQ90N20X3.pdf2.IXFQ90N20X3.pdf |
| IXFQ90N20X3 Price |
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| Informations techniques de IXFQ90N20X3 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IXFQ90N20X3 | Catégorie | |
| Fabricant | IXYS / Littelfuse | La description | MOSFET N-CH 200V 90A TO3P |
| Paquet / cas | TO-3P | Quantité disponible | 2683 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-3P |
| Séries | HiPerFET™, Ultra X3 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8mOhm @ 45A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 390W (Tc) | Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5420 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 200 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IXFQ90 | ||
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