| IXFQ8N85X | |
|---|---|
| Modèle de produit | IXFQ8N85X |
| Fabricant | IXYS |
| La description | MOSFET N-CH 850V 8A TO3P |
| Quantité disponible | Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IXFQ8N85X.pdf2.IXFQ8N85X.pdf |
| IXFQ8N85X Price |
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| Informations techniques de IXFQ8N85X | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IXFQ8N85X | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | IXYS / Littelfuse | La description | MOSFET N-CH 850V 8A TO3P |
| Paquet / cas | TO-3P | Quantité disponible | Available Stock |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-3P |
| Séries | HiPerFET™, Ultra X | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 200W (Tc) | Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 654 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 850 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IXFQ8N85 |
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| Action IXFQ8N85X | Prix IXFQ8N85X | IXFQ8N85X Electronique | |||
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