Modèle de Produit

K4B4G1646Q-HKK0

Introduction

IC SDRAM DDR3 Samsung K4B4G1646Q-HKK0

Marque et Fabricant

Samsung Semiconductor

Caractéristiques

Mémoire DDR3 de 4 Go, organisation x16, taux de transfert de données à haute vitesse, fonctionnement à basse tension, sans plomb (sans plomb)

Performance du Produit

Fréquences d'horloge jusqu'à 1600 MHz, débit de données MT/s : 1600, 1866, latence CAS programmable, auto-rafraîchissement pour économiser l'énergie, faible consommation d'énergie

Spécifications Techniques

Composant SDRAM DDR3, alimentation standard JEDEC de 1,5 V (±0,075 V), 8 banques internes

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage FBGA – Fine Ball Grid Array, 96 billes FBGA, taille du package : 14 mm x 8 mm x 1,2 mm (typique)

Qualité et Fiabilité

Testé sur une large plage de températures, conformité aux dernières normes de l'industrie, MTBF : Temps Moyen Entre Pannes évalué élevé pour un usage prolongé

Avantages du Produit

Module haute densité pour serveurs et applications informatiques, optimisé pour les processeurs et plates-formes de nouvelle génération

Compétitivité du Produit

Tarification compétitive pour des déploiements à grande échelle

Compatibilité

Conçu pour une utilisation dans diverses applications informatiques et multimédia, compatible avec une large gamme de serveurs, ordinateurs de bureau et ordinateurs portables haute performance

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes établies par JEDEC, conforme RoHS

Durée de Vie et Durabilité

Longue durée de vie opérationnelle réduisant le besoin de remplacements fréquents, conception éconergétique contribuant à la durabilité

Champs d'Application Réels

Serveurs d'entreprise et centres de données, informatique haute performance (HPC), PC de station de travail, consoles de jeux, équipements de télécommunications

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