Modèle de Produit

K4B4G3146C-SYF8

Introduction

Mémoire IC DDR3 SDRAM haute performance

Marque et Fabricant

Samsung Semiconductor

Caractéristiques

Transferts de données élevés, consommation d'énergie réduite, 8 banques internes pour des opérations simultanées

Performance du Produit

Supporte des taux de données allant jusqu'à 1866 Mbps, auto-refresh auto-compensation thermique, latence CAS et longueur de rafale programmables

Spécifications Techniques

Technologie DDR3 SDRAM, Largeur de données : 4 bits, Taille de mémoire : 4 Gb

Dimensions, Forme et Conditionnement

Paquet BGA (Ball Grid Array), profil bas pour des installations compactes

Qualité et Fiabilité

Opération sur une large gamme de températures, haute durabilité sous un usage continu des données, conformité JEDEC pour les normes de fiabilité

Avantages du Produit

Optimisé pour les applications de calcul haute vitesse, caractéristiques thermiques améliorées pour une meilleure stabilité

Compétitivité du Produit

Performance de premier plan dans la catégorie DDR3, largement utilisé sur les marchés grand public et industriels

Compatibilité

Compatible avec les connecteurs DDR3 SDRAM standard, respecte les spécifications de tension et de temps pour l'interopérabilité

Certification et Conformité aux Normes

Conforme à la norme JEDEC, conforme à RoHS pour la sécurité de l'environnement

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une fiabilité à long terme, supporte les modes d'économie d'énergie pour prolonger la durée de vie et réduire l'impact environnemental

Champs d'Application Réels

Électronique grand public, appareils de calcul, matériel de réseau, systèmes embarqués

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