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Accueil Centre des produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Single SSM3J143TU,LXHF
SSM3J143TU,LXHF
Modèle de produit SSM3J143TU,LXHF
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Quantité disponible 32 pcs in stock
Modèle ECAD
Feuilles de données SSM3J143TU,LXHF.pdf
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Informations techniques de SSM3J143TU,LXHF
Référence fabricant SSM3J143TU,LXHF Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) La description SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Paquet / cas UFM Quantité disponible 32 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Vgs (Max) +6V, -8V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur UFM
Séries Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI Rds On (Max) @ Id, Vgs 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) Package / Boîte 3-SMD, Flat Leads
Emballer Tape & Reel (TR) Température de fonctionnement 150°C
Type de montage Surface Mount Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 10 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.8 nC @ 4.5 V type de FET P-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20 V Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Ta)
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