SSM3J14TTE85LF
Modèle de produit SSM3J14TTE85LF
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
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Informations techniques de SSM3J14TTE85LF
Référence fabricant SSM3J14TTE85LF Catégorie  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) La description MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
Paquet / cas TSM Quantité disponible 3275 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id - Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur TSM
Séries U-MOSII Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.35A, 10V
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta) Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Emballer Tape & Reel (TR) Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 413 pF @ 15 V
type de FET P-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V Tension drain-source (Vdss) 30 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A (Ta) Numéro de produit de base SSM3J14
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