| SSM3J15FV,L3F | |
|---|---|
| Modèle de produit | SSM3J15FV,L3F |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description | MOSFET P-CH 30V 100MA VESM |
| Quantité disponible | 2561 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | |
| SSM3J15FV,L3F Price |
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| Informations techniques de SSM3J15FV,L3F | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SSM3J15FV,L3F | Catégorie | |
| Fabricant | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | La description | MOSFET P-CH 30V 100MA VESM |
| Paquet / cas | VESM | Quantité disponible | 2561 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.7V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | VESM |
| Séries | π-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V |
| Dissipation de puissance (max) | 150mW (Ta) | Package / Boîte | SOT-723 |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9.1 pF @ 3 V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4V | Tension drain-source (Vdss) | 30 V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Ta) | Numéro de produit de base | SSM3J15 |
| Télécharger | SSM3J15FV,L3F PDF - EN.pdf | ||
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