| SSM3J168F,LXHF | |
|---|---|
| Modèle de produit | SSM3J168F,LXHF |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description | SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/- |
| Quantité disponible | 1173 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | SSM3J168F,LXHF.pdf |
| SSM3J168F,LXHF Price |
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| Informations techniques de SSM3J168F,LXHF | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SSM3J168F,LXHF | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | La description | SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/- |
| Paquet / cas | S-Mini | Quantité disponible | 1173 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | Vgs (Max) | +10V, -20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | S-Mini |
| Séries | Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 200mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 600mW (Ta) | Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | 150°C |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 82 pF @ 10 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 10 V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 400mA (Ta) |
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