| SSM3J327R,LF | |
|---|---|
| Modèle de produit | SSM3J327R,LF |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description | MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F |
| Quantité disponible | 4720 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | |
| SSM3J327R,LF Price |
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| Informations techniques de SSM3J327R,LF | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SSM3J327R,LF | Catégorie | |
| Fabricant | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | La description | MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F |
| Paquet / cas | SOT-23F | Quantité disponible | 4720 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | SOT-23F |
| Séries | U-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 93mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) | Package / Boîte | SOT-23-3 Flat Leads |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 10 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 4.5 V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.9A (Ta) |
| Numéro de produit de base | SSM3J327 | ||
| Télécharger | SSM3J327R,LF PDF - EN.pdf | ||
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| Action SSM3J327R,LF | Prix SSM3J327R,LF | SSM3J327R,LF Electronique | |||
| Composants SSM3J327R,LF | SSM3J327R,LF Inventaire | SSM3J327R,LF Digikey | |||
| Fournisseur SSM3J327R,LF | Commandez SSM3J327R,LF en ligne | Demande SSM3J327R,LF | |||
| SSM3J327R,LF Image | SSM3J327R,LF Photo | SSM3J327R,LF PDF | |||
| SSM3J327R,LF Fiche technique | Télécharger la fiche technique SSM3J327R,LF | Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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