| SSM3J331R,LF | |
|---|---|
| Modèle de produit | SSM3J331R,LF |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description | MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F |
| Quantité disponible | 23000 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.SSM3J331R,LF.pdf2.SSM3J331R,LF.pdf |
| SSM3J331R,LF Price |
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| Informations techniques de SSM3J331R,LF | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SSM3J331R,LF | Catégorie | |
| Fabricant | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | La description | MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F |
| Paquet / cas | SOT-23F | Quantité disponible | 23000 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | SOT-23F |
| Séries | U-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) | Package / Boîte | SOT-23-3 Flat Leads |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 630 pF @ 10 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4 nC @ 4.5 V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A (Ta) |
| Numéro de produit de base | SSM3J331 | ||
| Télécharger | SSM3J331R,LF PDF - EN.pdf | ||
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| Action SSM3J331R,LF | Prix SSM3J331R,LF | SSM3J331R,LF Electronique | |||
| Composants SSM3J331R,LF | SSM3J331R,LF Inventaire | SSM3J331R,LF Digikey | |||
| Fournisseur SSM3J331R,LF | Commandez SSM3J331R,LF en ligne | Demande SSM3J331R,LF | |||
| SSM3J331R,LF Image | SSM3J331R,LF Photo | SSM3J331R,LF PDF | |||
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