Modèle de Produit

SSM3J332R.LF

Introduction

Un dispositif à semi-conducteurs de Toshiba spécialisé dans les applications de circuits intégrés spécifiques.

Marque et Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Caractéristiques

Capacité à courant élevé, faible résistance en état passant, petit emballage en montage en surface

Performance du Produit

Gestion efficace de l'énergie, fonctionnement stable sur une large plage de température, durable sous une fréquence de commutation élevée

Spécifications Techniques

Polarité du transistor : Canal-P, Courant de Drain continu : 6A, Tension de Rupture Drain-Source : -30V, Valeur RDS(on) : 0,039 Ohms

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage compact SOT-23F, profil léger et fin, livré en bobine et rouleau pour les processus d'assemblage automatisés

Qualité et Fiabilité

Souscrit à des normes de test rigoureuses, construction en matériaux de haute qualité, performances fiables pour des applications critiques

Avantages du Produit

Haute efficacité énergétique, adapté à un montage en densité élevée, faible génération thermique

Compétitivité du Produit

Très compétitif dans les tâches de régulation de puissance, supérieur à son égard dans son catégorie en termes de rapport performance/coût

Compatibilité

Compatible avec divers circuits intégrés numériques et analogiques, adapté à un large éventail d'applications de gestion de l'énergie

Certification et Conformité aux Normes

Répond aux normes de l'industrie en matière de sécurité et de performance, conforme aux réglementations environnementales

Durée de Vie et Durabilité

Longue durée de vie opérationnelle sous des conditions spécifiées, conception respectueuse de l'environnement minimisant la consommation d'énergie

Champs d'Application Réels

Gestion de l'énergie dans les appareils électroniques grand public, circuits de régulation dans les dispositifs informatiques, convertisseurs DC/DC dans l'équipement portable

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