Informations techniques de SSM3J352F,LF
Référence fabricant
SSM3J352F,LF Catégorie
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) La description
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Paquet / cas
S-Mini
Quantité disponible
2574 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Vgs (Max)
±12V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
S-Mini
Séries
U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max)
1.2W (Ta)
Package / Boîte
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Emballer
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
210 pF @ 10 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
type de FET
P-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
1.8V, 10V
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
2A (Ta)
Numéro de produit de base
SSM3J352
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