SSM3J351R
Modèle de produit SSM3J351R
Fabricant TOSHIBA
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Référence fabricant SSM3J351R Catégorie Circuits intégrés (ci)
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) La description SSM3J351R TOSHIBA
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Modèle de Produit

SSM3J351R

Introduction

MOSFET de puissance pour applications de commutation

Marque et Fabricant

Toshiba Semiconductor et Storage

Caractéristiques

MOSFET canal N, faible résistance on-drain-source, commutation haute vitesse, petit et montable en surface, faible tension de commande, améliore l'efficacité énergétique

Performance du Produit

Capacité à gérer un courant élevé, faible charge totale de grille, vitesse de commutation rapide, faible capacitance d'entrée et de sortie, faible consommation d'énergie

Spécifications Techniques

Tension drain-source (VDS) : 30V, courant drain continu (ID) : 4A, tension grille-source (VGS) : ±12V, résistance RDS(on) : 0,1Ω typ. à VGS=4,5V

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage SOT-23F, profil compact et mince, emballé en bande et bobine pour assemblage automatisé

Qualité et Fiabilité

Qualité de fabrication Toshiba éprouvée, endurance et fiabilité pour un fonctionnement à long terme

Avantages du Produit

Conception économisant de l'énergie, idéale pour des applications à haute densité, performances thermiques améliorées par rapport aux modèles précédents

Compétitivité du Produit

Ratio performance/taille élevé, compétitif dans les applications à basse tension

Compatibilité

Compatible avec les tensions de commande courantes, facilement intégré dans une large gamme de circuits

Certification et Conformité aux Normes

Fabriqué selon des normes industrielles strictes, conforme à la directive RoHS

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une durée de vie opérationnelle prolongée, produit éco-responsable avec un faible contenu en plomb

Champs d'Application Réels

Gestion de l'énergie, convertisseurs DC-DC, circuits de charge de batterie, pilotes de moteur, interrupteurs de charge

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