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SSM3J356R,LXHF
Modèle de produit SSM3J356R,LXHF
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
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Informations techniques de SSM3J356R,LXHF
Référence fabricant SSM3J356R,LXHF Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) La description AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Paquet / cas SOT-23F Quantité disponible Available Stock
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Vgs (Max) +10V, -20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur SOT-23F
Séries Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) Package / Boîte SOT-23-3 Flat Leads
Emballer Tape & Reel (TR) Température de fonctionnement 150°C
Type de montage Surface Mount Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V type de FET P-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)
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