| SSM3J35CT,L3F | |
|---|---|
| Modèle de produit | SSM3J35CT,L3F |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description | MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 |
| Quantité disponible | 2568 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | SSM3J35CT,L3F.pdf |
| SSM3J35CT,L3F Price |
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| Informations techniques de SSM3J35CT,L3F | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SSM3J35CT,L3F | Catégorie | |
| Fabricant | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | La description | MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 |
| Paquet / cas | CST3 | Quantité disponible | 2568 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | CST3 |
| Séries | π-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 50mA, 4V |
| Dissipation de puissance (max) | 100mW (Ta) | Package / Boîte | SC-101, SOT-883 |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | 150°C |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12.2 pF @ 3 V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.2V, 4V | Tension drain-source (Vdss) | 20 V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Ta) | Numéro de produit de base | SSM3J35 |
| Télécharger | SSM3J35CT,L3F PDF - EN.pdf | ||
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