Informations techniques de SSM3J356R,LF
Référence fabricant
SSM3J356R,LF Catégorie
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) La description
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Paquet / cas
SOT-23F
Quantité disponible
13000 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
+10V, -20V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
SOT-23F
Séries
U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)
1W (Ta)
Package / Boîte
SOT-23-3 Flat Leads
Emballer
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 10 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
type de FET
P-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
2A (Ta)
Numéro de produit de base
SSM3J356
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