Informations techniques de SSM3J35AMFV,L3F
Référence fabricant
SSM3J35AMFV,L3F Catégorie
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) La description
MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Paquet / cas
VESM
Quantité disponible
2542 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Vgs (Max)
±10V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
VESM
Séries
U-MOSVII
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)
150mW (Ta)
Package / Boîte
SOT-723
Emballer
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
42 pF @ 10 V
type de FET
P-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
1.2V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
250mA (Ta)
Numéro de produit de base
SSM3J35
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