| SI6913DQ-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modèle de produit | SI6913DQ-T1-GE3 |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| La description | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP |
| Quantité disponible | 17500 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.SI6913DQ-T1-GE3.pdf2.SI6913DQ-T1-GE3.pdf3.SI6913DQ-T1-GE3.pdf |
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| Informations techniques de SI6913DQ-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SI6913DQ-T1-GE3 | Catégorie | |
| Fabricant | Vishay / Siliconix | La description | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP |
| Paquet / cas | 8-TSSOP | Quantité disponible | 17500 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 400µA | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-TSSOP | Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 5.8A, 4.5V | Puissance - Max | 830mW |
| Package / Boîte | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 12V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.9A | Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| Numéro de produit de base | SI6913 | SI6913DQ-T1-GE3 Détails PDF [English] | SI6913DQ-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
| Télécharger | SI6913DQ-T1-GE3 Détails PDF | ||
Modèle de Produit
SI6913DQ-T1-GE3
Introduction
Array MOSFET de type P-channel
Marque et Fabricant
Vishay / Siliconix
Caractéristiques
Niveau logique de commande, Double MOSFET de type P-channel, Technologie TrenchFET
Performance du Produit
Courant de drain continu élevé de 4,9A à 25°C, Rds(on) bas de 21 mOhm à 5,8A, 4,5V, Large plage de température de fonctionnement de -55°C à 150°C
Spécifications Techniques
Tension Drain à Source (Vdss) 12V, Tension de seuil Gate-Source (Vgs th) 900mV à 400 µA, Charge de Gate (Qg) 28nC à 4,5V
Dimensions, Forme et Conditionnement
Format 8-TSSOP (0,173", 4,40mm de largeur), Conditionnement Digi-Reel pour des quantités de commande flexibles
Qualité et Fiabilité
Sans plomb et conforme RoHS pour la sécurité environnementale, Technologie TrenchFET prouvée pour des performances accrues
Avantages du Produit
Conception écoénergétique avec faible résistance à l'état passant, Haute fiabilité et robustesse dans diverses plages de température
Compétitivité du Produit
Idéal pour des applications de gestion de l'énergie, Convient pour des conceptions électroniques portables et à espace restreint
Compatibilité
Compatible avec les circuits de commande de gate à niveau logique
Certification et Conformité aux Normes
Conforme RoHS, indiquant la restriction des substances dangereuses
Durée de Vie et Durabilité
Construction durable adaptée à un usage prolongé dans les appareils électroniques
Champs d'Application Réels
Régulation de l'énergie dans les équipements informatiques et de télécommunications, Systèmes de gestion de batteries, Applications de commutation de charge, Conversion d'énergie dans l'électronique grand public
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