| SI6924AEDQ-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modèle de produit | SI6924AEDQ-T1-GE3 |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| La description | MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP |
| Quantité disponible | 50000 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.SI6924AEDQ-T1-GE3.pdf2.SI6924AEDQ-T1-GE3.pdf3.SI6924AEDQ-T1-GE3.pdf |
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| Informations techniques de SI6924AEDQ-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SI6924AEDQ-T1-GE3 | Catégorie | |
| Fabricant | Vishay / Siliconix | La description | MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP |
| Paquet / cas | 8-TSSOP | Quantité disponible | 50000 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-TSSOP | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4.6A, 4.5V | Puissance - Max | 1W |
| Package / Boîte | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 28V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.1A | Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Numéro de produit de base | SI6924 | SI6924AEDQ-T1-GE3 Détails PDF [English] | SI6924AEDQ-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
| Télécharger | SI6924AEDQ-T1-GE3 Détails PDF | ||
Modèle de Produit
SI6924AEDQ-T1-GE3
Introduction
MOSFET N-Channel double de 28 V (D-S)
Marque et Fabricant
Vishay Siliconix
Caractéristiques
Niveau logique de commande, Montage en surface, Configuration de drain commun double, Faible résistance à l'état passant, Emballage en bande et bobine (TR) pour assemblage automatisé
Performance du Produit
Courant de drain continu élevé de 4,1 A, Gestion de l'énergie efficace, Performances thermiques améliorées, Faible charge de porte pour des commutations plus rapides, Opération sur une large plage de températures
Spécifications Techniques
2 MOSFETs N-Channel dans un boîtier 8-TSSOP, Dissipation maximale de puissance : 1 W
Dimensions, Forme et Conditionnement
8-TSSOP (0,173 po, 4,40 mm de largeur), Bande et bobine pour technologie de montage en surface
Qualité et Fiabilité
Sans plomb / Conforme à RoHS, Convient pour des applications à haute température
Avantages du Produit
Conception économe en énergie avec faible Rds(on), Capacité élevée de courant
Compétitivité du Produit
Prix compétitifs dans le domaine des MOSFET, Idéal pour des applications dans divers circuits électroniques
Compatibilité
Compatible avec les circuits de commande de porte à niveau logique
Certification et Conformité aux Normes
Conforme à RoHS, Sans plomb
Durée de Vie et Durabilité
Durable avec une large plage de température de fonctionnement de -55 °C à 150 °C (TJ)
Champs d'Application Réels
Gestion de l'énergie, Convertisseurs DC/DC, Systèmes de gestion de batterie, Entraînements de moteur, Régulateurs de commutation
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ SI6924AEDQ-T1-GE3 Online.
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