H5TQ4G63EFR-TEC
Modèle de produit H5TQ4G63EFR-TEC
Fabricant SK HYNIX
La description SK HYNIX 2020+RoHS
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Informations techniques de H5TQ4G63EFR-TEC
Référence fabricant H5TQ4G63EFR-TEC Catégorie Circuits intégrés (ci)
Fabricant SK HYNIX La description SK HYNIX 2020+RoHS
Paquet / cas BGA Quantité disponible 10000 pcs
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Modèle de Produit

H5TQ4G63EFR-TEC

Introduction

Un circuit intégré (IC) spécialisé conçu pour des applications de mémoire à haute vitesse.

Marque et Fabricant

SK HYNIX

Caractéristiques

Taux de transfert de données élevé, faible consommation d'énergie, grande capacité de stockage, processus de fabrication avancé.

Performance du Produit

Intégrité des données fiable, performance thermique supérieure, fonctionnement à haute vitesse, support d'une large plage de températures.

Spécifications Techniques

DDR3 SDRAM, densité 4Gb, technologie TSV (Through Silicon Via).

Dimensions, Forme et Conditionnement

Format compact, emballage standard d'IC adapté au montage en surface, conditionné en plateaux ou en bandes pour assemblage automatique.

Qualité et Fiabilité

Contrôle qualité rigoureux, robuste face aux conditions environnementales, fiabilité prouvée sur le terrain.

Avantages du Produit

Fabriqué par un leader de l'industrie de confiance, capacités de données à haute vitesse, conception économe en énergie.

Compétitivité du Produit

Solution économique pour les applications à forte intensité mémoire, concurrence avec des produits mémoire de premier ordre.

Compatibilité

Compatible avec les interfaces standard DDR3 SDRAM, fonctionne avec une large gamme de microprocesseurs et de contrôleurs.

Certification et Conformité aux Normes

Respecte les normes JEDEC applicables, conforme aux réglementations RoHS.

Durée de Vie et Durabilité

Longue durée de vie opérationnelle, conçu pour un usage continu.

Champs d'Application Réels

Ordinateurs personnels, serveurs, équipements de mise en réseau, systèmes de télécommunication.

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